近接積層InAs/GaAs量子ドットのGaAsスペーサ層膜厚と成長温度による広帯域偏光特性制御
近接積層InAs/GaAs量子ドットのGaAsスペーサ層膜厚と成長温度による広帯域偏光特性制御
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GaAs间隔层厚度和生长温度控制紧密堆叠的InAs/GaAs量子点的宽带偏振特性
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
喜多隆
中科院分区：
文献类型：
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作者：
海津利行;田尻祐介;喜多隆
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柱状 InAs/GaAs 自组装量子点的偏振无关光致发光
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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作者：
T. Kita;O. Wada;H. Ebe;Y. Nakata;M. Sugawara
通讯作者：
M. Sugawara
影响因子：
3.7
作者：
Takahashi, Akihiro;Ueda, Tatsuya;Yasuda, Hidehiro
通讯作者：
Yasuda, Hidehiro
InAs 量子点边缘发射光致发光中 InGaAs 覆盖层诱导光偏振的控制
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Jpn.J.Appl.Phys 43
影响因子：
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作者：
P.Jayavel
通讯作者：
P.Jayavel
影响因子：
4
作者：
P. Jayavel;Hirokazu Tanaka;T. Kita;O. Wada;H. Ebe;M. Sugawara;J. Tatebayashi;Y. Arakawa;Y. Nakata;T. Akiyama
通讯作者：
P. Jayavel;Hirokazu Tanaka;T. Kita;O. Wada;H. Ebe;M. Sugawara;J. Tatebayashi;Y. Arakawa;Y. Nakata;T. Akiyama
K.Ono：“Fe、Co/MgF_2 颗粒多层膜的导电和隧道磁阻”Jpn。
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
通讯作者：
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