4H-SiC work-function-dependent bipolar transistor with ultra-high current gain
4H-SiC work-function-dependent bipolar transistor with ultra-high current gain
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具有超高电流增益的依赖工作函数的 4H-SiC 双极晶体管
DOI：
10.1049/el.2014.2432
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发表时间：
2014-12
影响因子：
1.1
通讯作者：
Zhang Yimen
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yuan Lei;Zhang Yuming;Song Qingwen;Tang Xiaoyan;Zhang Yimen
提出了一种具有超高电流增益的4 H-SiC双极晶体管的新结构，并进行了模拟分析。介绍了一种用作传统发射区的p型肖特基接触。通过适当选择金属功函数，可以提高少数载流子（电子）的注入效率，并且可以接近1。因此，由于从p型肖特基接触注入的高电子电流密度，实现了高电流增益。仿真结果表明，电流增益随金属功函数的变化而变化，最大增益可达1000以上，这对于基区驱动电路是很有吸引力的。此外，与传统的双极结型晶体管相比，新结构简化了蚀刻工艺。
A new structure of a 4H-SiC bipolar transistor with ultra-high current gain is proposed and analysed by simulation. A p-type Schottky contact serving as the conventional emitter region is introduced. By proper choice of the metal work-function, the injection efficiency of the minority carrier (electron) is promoted and may be close to unity. Therefore high current gain is realised due to the high electron current density injected from the p-type Schottky contact. The simulation results show that the current gain varies with the metal work-function and could reach ∼1000, which is attractive for the base-drive circuit. Moreover, the new structure simplifies the etching process compared with the conventional bipolar junction transistor.
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