Atomic-scale Cellular Model and Profile Simulation of Si Etching : Analysis of Profile Anomalies and Microscopic Uniformity
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硅蚀刻的原子尺度细胞模型和轮廓模拟：轮廓异常和微观均匀性分析
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and K. Ono
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. Tsuda;M. Mori;Y. Takao;K. Eriguchi;and K. Ono
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SiO2 表面的高能离子轰击：分子动力学模拟
DOI：
10.1116/1.581452
发表时间：
1998
期刊：
Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子：
--
作者：
C. Abrams;D. Graves
通讯作者：
D. Graves
低压、高密度等离子体中的离子传输各向异性
影响因子：
1.4
作者：
R. Gottscho
通讯作者：
R. Gottscho
硅蚀刻的原子尺度细胞模型和轮廓模拟：表面粗糙度和残留物的形成
影响因子：
2.1
作者：
H. Tsuda;M. Mori;Y. Takao;K. Eriguchi;K. Ono
通讯作者：
K. Ono
多晶硅 Cl2+HBr 蚀刻中的等离子体表面动力学和特征轮廓演化模拟
DOI：
10.1116/1.1517993
发表时间：
2002
期刊：
Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子：
--
作者：
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通讯作者：
H. Sawin
在感应耦合 Cl2 和 HBr 放电中蚀刻多晶硅。
影响因子：
1.4
作者：
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通讯作者：
H. Sawin