Ice-assisted electron beam lithography of graphene.
Ice-assisted electron beam lithography of graphene.
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DOI：
10.1088/0957-4484/23/18/185302
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发表时间：
2012-05-11
期刊：
影响因子：
3.5
通讯作者：
Golovchenko JA
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Gardener JA;Golovchenko JA
我们证明，低能量聚焦电子束可以局部图案化石墨烯涂层与薄冰层。辐射的冰在这个过程中起着至关重要的作用，它提供了活化的物质，可以从二氧化硅衬底上局部去除石墨烯。在图案化石墨烯之后，冰抗蚀剂通过升华容易地去除，以留下干净的表面而无需进一步处理。更一般地说，我们的研究结果表明，冰辅助电子束光刻可以用来图案非常薄的材料沉积在基板表面上。该过程是在一个修改后的扫描电子显微镜原位进行。使用该方法产生诸如纳米带的期望的结构。从体衬底背散射的电子在石墨烯中的缺陷被识别。它们从电子束写入位置延伸几微米。我们证明，这些缺陷可以大大减少和本地化，通过使用更薄的基板和/或温和的热退火。
We demonstrate that a low energy focused electron beam can locally pattern graphene coated with a thin ice layer. The irradiated ice plays a crucial role in the process by providing activated species that locally remove graphene from a silicon dioxide substrate. After patterning the graphene, the ice resist is easily removed by sublimation to leave behind a clean surface with no further processing. More generally, our findings demonstrate that ice-assisted e-beam lithography can be used to pattern very thin materials deposited on substrate surfaces. The procedure is performed in situ in a modified scanning electron microscope. Desirable structures such as nanoribbons are created using the method. Defects in graphene from electrons backscattered from the bulk substrate are identified. They extend several microns from the e-beam writing location. We demonstrate that these defects can be greatly reduced and localised by using thinner substrates and/or gentle thermal annealing.
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影响因子：
--
作者：
Drouin, Dominique;Couture, Alexandre Real;Gauvin, Raynald
通讯作者：
Gauvin, Raynald
影响因子：
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作者：
Han, Anpan;Chervinsky, John;Golovchenko, J. A.
通讯作者：
Golovchenko, J. A.
DOI：
10.1016/j.physe.2007.06.020
发表时间：
2007-12-01
影响因子：
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作者：
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通讯作者：
Avouris, Phaedon
通过时间俄歇电子能谱监测电子束辐照对石墨烯的影响
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