Organic Thin-Film Transistor Memory With Nanoparticle Floating Gate
Organic Thin-Film Transistor Memory With Nanoparticle Floating Gate
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具有纳米颗粒浮栅的有机薄膜晶体管存储器
DOI：
10.1109/ted.2009.2016031
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发表时间：
2009-03
影响因子：
3.1
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
通过在两个尼龙6栅极介质之间插入一层纳米颗粒（如Ag或CaF2）作为浮栅，实现了有机薄膜晶体管存储器件。晶体管存储器采用全热沉积法在玻璃衬底上制备。由于分离的Ag或CaF2纳米粒子岛充当电荷阱中心，晶体管在电流-电压特性中表现出明显的滞后行为。讨论了晶体管存储工作的机理。
Organic thin-film transistor memory devices were realized by inserting a layer of nanoparticles (such as Ag or CaF2) between two Nylon 6 gate dielectrics as the floating gate. The transistor memories were fabricated on glass substrates by full thermal deposition. The transistors exhibit significant hysteresis behavior in current-voltage characteristics, due to the separated Ag or CaF2 nanoparticle islands that act as charge trap centers. The mechanism of the transistor memory operation was discussed.
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