Negative-Thermal-Expansion Gate Electrode to Introduce Tensile Strain into the Channel of MOSFETs for Mobility Enhancement
Negative-Thermal-Expansion Gate Electrode to Introduce Tensile Strain into the Channel of MOSFETs for Mobility Enhancement
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负热膨胀栅电极将拉伸应变引入 MOSFET 沟道以增强迁移率
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Tetsu Tanaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hisashi Kino;Takafumi Fukushima;Tetsu Tanaka
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使用负热膨胀栅电极增强金属氧化物半导体场效应晶体管中的载流子迁移率
影响因子：
2.3
作者：
Kino Hisashi;Fukushima Takafumi;Tanaka Tetsu
通讯作者：
Tanaka Tetsu
热循环对具有正热膨胀或负热膨胀骨架的超导线圈的临界电流和交流损耗的影响
影响因子：
1.8
作者：
T. Takao;K. Yamamoto;Y. Yamada;Y. Nakajima;K. Nakamura;M. Arikawa;S. Fukui;A. Nishimura;A. Yamanaka
通讯作者：
A. Yamanaka
三维堆叠 IC 中底部填充胶热膨胀引起的局部应力的影响
影响因子：
1.5
作者：
Hisashi Kino;Hideto hashiguchi;Seiya Tanikawa;Youhei Sugawara;Shunsuke Ikegaya;Takafumi Fukushima;Mitsumasa Koyanagi;Tetsu Tanaka
通讯作者：
Tetsu Tanaka
钨体积对 MONOS 中残余应力和电池特性的影响
影响因子：
2.3
作者：
Y. Oh;Jae;H. Kino;D. Kim;Tetsu Tanaka;Y. Song
通讯作者：
Y. Song
开发电阻温度系数接近零的氮化锰电阻器以实现高热稳定性 IC
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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作者：
Sekiya Hiroo;Ma Jingyue;Nguyen Kien;Wei Xiuqin;山田寛喜，羽澤帆乃佳，森浩樹;Hisashi Kino
通讯作者：
Hisashi Kino