Effect of local stress induced by thermal expansion of underfill in three-dimensional stacked IC
Effect of local stress induced by thermal expansion of underfill in three-dimensional stacked IC
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三维堆叠 IC 中底部填充胶热膨胀引起的局部应力的影响
DOI：
10.7567/jjap.55.04ec03
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发表时间：
2016
影响因子：
1.5
通讯作者：
Tetsu Tanaka
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hisashi Kino;Hideto hashiguchi;Seiya Tanikawa;Youhei Sugawara;Shunsuke Ikegaya;Takafumi Fukushima;Mitsumasa Koyanagi;Tetsu Tanaka
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通过晶圆减薄和键合制造的硅通孔 3D-LSI 中残余应力/应变和金属污染的影响
DOI：
10.1109/iedm.2009.5424348
发表时间：
2009
期刊：
2009 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
影响因子：
--
作者：
M. Murugesan;J. Bea;H. Kino;Y. Ohara;T. Kojima;A. Noriki;K. Lee;K. Kiyoyama;T. Fukushima;H. Nohira;T. Hattori;E. Ikenaga;T. Tanaka;M. Koyanagi
通讯作者：
M. Koyanagi
DOI：
10.1109/iedm.2009.5424353
发表时间：
2009-12
期刊：
2009 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
影响因子：
--
作者：
T. Fukushima;E. Iwata;Y. Ohara;A. Noriki;K. Inamura;Kang-wook Lee;J. Bea;Tetsu Tanaka;M. Koyanagi
通讯作者：
T. Fukushima;E. Iwata;Y. Ohara;A. Noriki;K. Inamura;Kang-wook Lee;J. Bea;Tetsu Tanaka;M. Koyanagi
具有片上 SPRAM（SPin 传输扭矩 RAM）的 3D 堆叠可重构自旋逻辑芯片的超快并行重构
DOI：
10.1109/vlsit.2012.6242515
发表时间：
2012
期刊：
2012 Symposium on VLSI Technology (VLSIT)
影响因子：
--
作者：
T. Tanaka;H. Kino;R. Nakazawa;K. Kiyoyama;H. Ohno;M. Koyanagi
通讯作者：
M. Koyanagi
3D 堆叠引起的机械应力效应
DOI：
10.1109/ectc.2014.6897304
发表时间：
2014
期刊：
2014 IEEE 64th Electronic Components and Technology Conference (ECTC)
影响因子：
--
作者：
V. Cherman;G. van der Plas;J. de Vos;A. Ivankovic;M. Lofrano;V. Simons;M. Gonzalez;K. Vanstreels;T. Wang;R. Daily;W. Guo;G. Beyer;A. la Manna;I. De Wolf;E. Beyne
通讯作者：
E. Beyne
影响因子：
3.1
作者：
Lee, Kang-Wook;Noriki, Akihiro;Koyanagi, Mitsumasa
通讯作者：
Koyanagi, Mitsumasa