刷新
{{item.name}}会员
Synthesis, Properties, and Defect Chemistry of Rare-Earth Borides
稀土硼化物的合成、性质和缺陷化学
基本信息
- 批准号：7614448
- 负责人：
- 金额：$ 2.9万
- 依托单位：
- 依托单位国家：美国
- 项目类别：Standard Grant
- 财政年份：1976
- 资助国家：美国
- 起止时间：1976-06-15 至 1977-11-30
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Karl Spear其他文献
Karl Spear的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('Karl Spear', 18)}}的其他基金
Modeling the Chemical Vapor Deposition (Cvd) and Transport (Cvt) of Refractory Materials
模拟耐火材料的化学气相沉积 (Cvd) 和传输 (Cvt)
- 批准号：
8109260 - 财政年份：1981
- 资助金额：
$ 2.9万 - 项目类别：
Continuing Grant
Chemical Vapor Deposition and Crystal Growth of A15 Superconducting Materials
A15超导材料的化学气相沉积和晶体生长
- 批准号：
7810054 - 财政年份：1978
- 资助金额：
$ 2.9万 - 项目类别：
Continuing Grant
Crystal Growth of A15 Superconducting Materials
A15超导材料的晶体生长
- 批准号：
7505813 - 财政年份：1975
- 资助金额：
$ 2.9万 - 项目类别：
Standard Grant
Synthesis, Properties, and Defect Chemistry of Rare-Earth Borides
稀土硼化物的合成、性质和缺陷化学
- 批准号：
7203133 - 财政年份：1972
- 资助金额：
$ 2.9万 - 项目类别：
Standard Grant
相似海外基金
Electronic physical properties analysis and crystal defect distribution of electrode interfaces on wide-gap semiconductor at high temperatures by Raman spectroscopy
拉曼光谱高温下宽禁带半导体电极界面电子物理性质分析及晶体缺陷分布
- 批准号：
23K04607 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 2.9万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Improvement of diamond semiconductor device properties by clarifying the non-radiative defect generation mechanism
通过阐明非辐射缺陷产生机制来提高金刚石半导体器件的性能
- 批准号：
22K04951 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 2.9万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Characterising the composition, defect concentrations and optical properties of semiconductor alloys based on gallium oxide (Ga2O3)
表征基于氧化镓 (Ga2O3) 的半导体合金的成分、缺陷浓度和光学性能
- 批准号：
2598328 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.9万 - 项目类别：
Studentship
RUI: CMMT: Computational Study of Ternary Metal Halides for Optoelectronics: Structural, Electrical and Defect Properties
RUI：CMMT：光电子学用三元金属卤化物的计算研究：结构、电气和缺陷特性
- 批准号：
2127473 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.9万 - 项目类别：
Continuing Grant
Nanoscale control of materials properties by in-situ defect engineering
通过原位缺陷工程对材料性能进行纳米级控制
- 批准号：
468617440 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.9万 - 项目类别：
Research Grants
RAPID: Defect-Chemistry Design of Titanium Dioxide for Enhanced Virucidal Photodynamic Properties
RAPID：二氧化钛的缺陷化学设计，增强杀病毒光动力性能
- 批准号：
2032370 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.9万 - 项目类别：
Standard Grant
Study of relationship between luminescence properties and surface defect in long afterglow phosphors
长余辉荧光粉发光性能与表面缺陷关系研究
- 批准号：
20K15030 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.9万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Control of minority carrier flow in visible light driven water splitting photocatalyst : characterization of defect properties
可见光驱动水分解光催化剂中少数载流子流动的控制：缺陷特性的表征
- 批准号：
19H02656 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.9万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Influence of defect chemistry on ferroelectric properties of KNN
缺陷化学对KNN铁电性能的影响
- 批准号：
419400593 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.9万 - 项目类别：
Research Grants
Improvement of critical current properties of iron-based superconductors by controlling artificial pinning centers and defect structure
通过控制人工钉扎中心和缺陷结构改善铁基超导体的临界电流性能
- 批准号：
19K15034 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.9万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists