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Non-Radiative Recombination in Gallium Arsenide Phosphide
磷化砷化镓的非辐射复合
基本信息
- 批准号：7680128
- 负责人：
- 金额：$ 3.94万
- 依托单位：
- 依托单位国家：美国
- 项目类别：Standard Grant
- 财政年份：1977
- 资助国家：美国
- 起止时间：1977-02-15 至 1979-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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专著数量（0）
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会议论文数量（0）
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数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Leonard Forbes其他文献
Gold in silicon: Characterisation and infra-red detector applications
- DOI：
10.1007/bf03215429 - 发表时间：
1977-06-01 - 期刊：
- 影响因子：1.500
- 作者：
Leonard Forbes - 通讯作者：
Leonard Forbes
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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$ 3.94万 - 项目类别：
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1068785 - 财政年份：2011
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{311}缺陷类量子棒电子系统中基于辐射复合的硅光放大器的研制
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22360004 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 3.94万 - 项目类别：
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盘状半导体量子点中激子的辐射复合寿命研究
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通过双波长激发方案对蓝光发射半导体中的非辐射复合中心进行光谱分析
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Spectroscopy of Non-Radiative Recombination Centers in Semiconductors for Light Emitting Devices
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10650035 - 财政年份：1998
- 资助金额：
$ 3.94万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)