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Properties of Amorphous Semiconductors

Properties of Amorphous Semiconductors
非晶半导体的特性
批准号：
7810014
负责人：
William Paul
金额：
$30.6万
依托单位：
Harvard University
依托单位国家：
美国
项目类别：
Continuing Grant
财政年份：
1978
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1978-07-15 至 1981-12-31
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=7810014&HistoricalAwards=false
关键词：
PropertiesAmorphousSemiconductors

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U.S.-Brazil Science & Technology Initiative: Workshop on theMaterials Science of Crystaline & Amorphous Silicon and its Alloys; Campinas, May 25-31, 1992
  • 批准号：
    9212623
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $0.0万
  • 财政年份：
    1992
  • 负责人：
    William Paul
  • 依托单位：
    Travel Award
Semiconductor Superlattices at High Hydrostatic Pressures
  • 批准号：
    9123829
  • 项目类别：
    Continuing Grant
  • 资助金额：
    $21.0万
  • 财政年份：
    1992
  • 负责人：
    William Paul
  • 依托单位：
    Harvard University
Multi-Quantum-Well and Superlattice Mercuric-Telluride/ Cadmium-Telluride Structures at High Hydrostatic Pressures
  • 批准号：
    8914486
  • 项目类别：
    Continuing Grant
  • 资助金额：
    $9.5万
  • 财政年份：
    1990
  • 负责人：
    William Paul
  • 依托单位：
    Harvard University
U.S.-Brazil Cooperative Science Research in the Study of Amorphous Hydrogenated Germanium
  • 批准号：
    8915070
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $1.81万
  • 财政年份：
    1990
  • 负责人：
    William Paul
  • 依托单位：
    Harvard University
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