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Microscopic Properties of Semiconductor-Semiconductor Interfaces
半导体-半导体界面的微观特性
基本信息
- 批准号：7822205
- 负责人：
- 金额：$ 13.47万
- 依托单位：
- 依托单位国家：美国
- 项目类别：Continuing Grant
- 财政年份：1979
- 资助国家：美国
- 起止时间：1979-05-01 至 1982-10-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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Giorgio Margaritondo其他文献
From Synchrotrons to FELs: How Photons are Produced; Beamline Optics and Beam Characteristics
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- 发表时间：
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- 影响因子：0
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Erratum to: Detecting small lung tumors in mouse models by refractive-index microradiology
- DOI：
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2011-07-13 - 期刊：
- 影响因子：3.800
- 作者：
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Giorgio Margaritondo
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{{ truncateString('Giorgio Margaritondo', 18)}}的其他基金
Study of the Microscopic Properties of Semiconductor- semiconductor Interfaces
半导体-半导体界面微观性质的研究
- 批准号：
8722412 - 财政年份：1988
- 资助金额：
$ 13.47万 - 项目类别：
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The Chemisorption Properties of Amorphous and Crystalline Semiconductors; U.S.-Italy Program
非晶和晶体半导体的化学吸附特性；
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8513817 - 财政年份：1986
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8421292 - 财政年份：1985
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The Microscopic Properties of Semiconductor-Semiconductor Interfaces (Materials Research)
半导体-半导体界面的微观特性（材料研究）
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使用同步辐射研究半导体界面
- 批准号：
8122013 - 财政年份：1982
- 资助金额：
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- 批准号：
23K04667 - 财政年份：2023
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$ 13.47万 - 项目类别：
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Non contact measurement of Semiconductor Properties
半导体特性的非接触式测量
- 批准号：
10074644 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 13.47万 - 项目类别：
Grant for R&D
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阐明氮化物半导体的热电特性和性能改进，以利用半导体器件的废热
- 批准号：
23H01454 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 13.47万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Electronic physical properties analysis and crystal defect distribution of electrode interfaces on wide-gap semiconductor at high temperatures by Raman spectroscopy
拉曼光谱高温下宽禁带半导体电极界面电子物理性质分析及晶体缺陷分布
- 批准号：
23K04607 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 13.47万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Validation of predicted solution processed organic semiconductor properties
验证预测的溶液加工有机半导体特性
- 批准号：
DP220102124 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 13.47万 - 项目类别：
Discovery Projects
Improvement of diamond semiconductor device properties by clarifying the non-radiative defect generation mechanism
通过阐明非辐射缺陷产生机制来提高金刚石半导体器件的性能
- 批准号：
22K04951 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 13.47万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Synthesis and Properties of Plasmonic Semiconductor Nanocrystals
等离激元半导体纳米晶的合成与性能
- 批准号：
572975-2022 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 13.47万 - 项目类别：
University Undergraduate Student Research Awards
Growth and Properties of Novel Epitaxial Semiconductor Films
新型外延半导体薄膜的生长和性能
- 批准号：
RGPIN-2019-06839 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 13.47万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Organic semiconductor device design considering electrothermal properties toward high current switching
考虑大电流开关电热特性的有机半导体器件设计
- 批准号：
22K18795 - 财政年份：2022
- 资助金额：
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Understanding carrier transport properties of ultra-thin semiconductor channel CMOS and establishing a method to enhance channel mobility
了解超薄半导体沟道CMOS的载流子传输特性并建立增强沟道迁移率的方法
- 批准号：
22H00208 - 财政年份：2022
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