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New Approaches to the Preparation and Characterization of Gaas Structures For Device Applications

New Approaches to the Preparation and Characterization of Gaas Structures For Device Applications
用于器件应用的气体结构的制备和表征的新方法
批准号：
8217821
负责人：
Harry Gatos
金额：
$7.0万
依托单位：
Massachusetts Institute of Technology
依托单位国家：
美国
项目类别：
Standard Grant
财政年份：
1983
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1983-05-01 至 1984-10-31
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8217821&HistoricalAwards=false
关键词：
NewApproachesPreparationCharacterizationGaas

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Studies of Adsorption and Charge Transfer on Semiconductor Surfaces - Application to Catalysis
Preparation and Characterization of Gallium Arsenide Structures
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Lagrangian origin of geometric approaches to scattering amplitudes
  • 批准号：
    24ZR1450600
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2024
  • 负责人：
    ALEXANDER OCHIROV
  • 依托单位：
    上海科技大学