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Gallium Arsenide Metal Insulator Semiconductor Interfaces
砷化镓金属绝缘体半导体接口
基本信息
- 批准号：8319181
- 负责人：
- 金额：$ 28.3万
- 依托单位：
- 依托单位国家：美国
- 项目类别：Continuing Grant
- 财政年份：1984
- 资助国家：美国
- 起止时间：1984-06-01 至 1987-11-30
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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会议论文数量（0）
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New Approaches to the Preparation and Characterization of Gaas Structures For Device Applications
用于器件应用的气体结构的制备和表征的新方法
- 批准号：
8217821 - 财政年份：1983
- 资助金额：
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$ 28.3万 - 项目类别：
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砷化镓太阳能电池的制备及表征
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半导体表面吸附和电荷转移的研究
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微观生长率及其在凝固中的作用
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晶体生长电外延系统研究设备
- 批准号：
7102214 - 财政年份：1971
- 资助金额：
$ 28.3万 - 项目类别：
Standard Grant
相似海外基金
Memory-Enhanced Entanglement Distribution with Gallium ARsenide quantum Dots
砷化镓量子点的记忆增强纠缠分布
- 批准号：
EP/Z000556/1 - 财政年份：2024
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在 Si(001) 外延衬底上直接生长三元或更高砷化物基半导体
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23K04598 - 财政年份：2023
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$ 28.3万 - 项目类别：
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Collaborative Research: FuSe: Heterogeneous Integration of III-Nitride and Boron Arsenide for Enhanced Thermal and Electronic Performance
合作研究：FuSe：III族氮化物和砷化硼的异质集成以增强热和电子性能
- 批准号：
2329109 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 28.3万 - 项目类别：
Standard Grant
Collaborative Research: FuSe: Heterogeneous Integration of III-Nitride and Boron Arsenide for Enhanced Thermal and Electronic Performance
合作研究：FuSe：III族氮化物和砷化硼的异质集成以增强热和电子性能
- 批准号：
2329110 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 28.3万 - 项目类别：
Standard Grant
Collaborative Research: FuSe: Heterogeneous Integration of III-Nitride and Boron Arsenide for Enhanced Thermal and Electronic Performance
合作研究：FuSe：III族氮化物和砷化硼的异质集成以增强热和电子性能
- 批准号：
2329107 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 28.3万 - 项目类别：
Continuing Grant
Investigation of the Novel Boron Arsenide Wonder Material at Semiconductor Device Level
半导体器件级新型砷化硼神奇材料的研究
- 批准号：
2893921 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 28.3万 - 项目类别：
Studentship
Collaborative Research: FuSe: Heterogeneous Integration of III-Nitride and Boron Arsenide for Enhanced Thermal and Electronic Performance
合作研究：FuSe：III族氮化物和砷化硼的异质集成以增强热和电子性能
- 批准号：
2329108 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 28.3万 - 项目类别：
Continuing Grant
GASP: Gallium Arsenide (III-V) photonic integrated circuits built like Silicon Photonics
GASP：砷化镓 (III-V) 光子集成电路，类似于硅光子学
- 批准号：
EP/V052179/1 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 28.3万 - 项目类别：
Research Grant
Aluminum Gallium Arsenide Coatings to Improve LIGO Sensitivity
砷化铝镓涂层可提高 LIGO 灵敏度
- 批准号：
2012017 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 28.3万 - 项目类别：
Continuing Grant
Boron isotope enriched high thermal conductivity boron arsenide
富硼同位素高导热砷化硼
- 批准号：
20K21162 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 28.3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)