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Gallium Arsenide Charge Coupled Devices
砷化镓电荷耦合器件
基本信息
- 批准号：8411209
- 负责人：
- 金额：$ 17.34万
- 依托单位：
- 依托单位国家：美国
- 项目类别：Continuing Grant
- 财政年份：1984
- 资助国家：美国
- 起止时间：1984-07-15 至 1988-06-30
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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会议论文数量（0）
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8205212 - 财政年份：1982
- 资助金额：
$ 17.34万 - 项目类别：
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$ 17.34万 - 项目类别：
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Collaborative Research: FuSe: Heterogeneous Integration of III-Nitride and Boron Arsenide for Enhanced Thermal and Electronic Performance
合作研究：FuSe：III族氮化物和砷化硼的异质集成以增强热和电子性能
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2329110 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 17.34万 - 项目类别：
Standard Grant
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- 资助金额：
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2893921 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 17.34万 - 项目类别：
Studentship
Collaborative Research: FuSe: Heterogeneous Integration of III-Nitride and Boron Arsenide for Enhanced Thermal and Electronic Performance
合作研究：FuSe：III族氮化物和砷化硼的异质集成以增强热和电子性能
- 批准号：
2329107 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 17.34万 - 项目类别：
Continuing Grant
Collaborative Research: FuSe: Heterogeneous Integration of III-Nitride and Boron Arsenide for Enhanced Thermal and Electronic Performance
合作研究：FuSe：III族氮化物和砷化硼的异质集成以增强热和电子性能
- 批准号：
2329108 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 17.34万 - 项目类别：
Continuing Grant
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GASP：砷化镓 (III-V) 光子集成电路，类似于硅光子学
- 批准号：
EP/V052179/1 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 17.34万 - 项目类别：
Research Grant
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砷化铝镓涂层可提高 LIGO 灵敏度
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2012017 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 17.34万 - 项目类别：
Continuing Grant
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富硼同位素高导热砷化硼
- 批准号：
20K21162 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 17.34万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)