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Expedited Award for Novel Research: Piosecond Photoconduc- tors on MBE Grown Materials for High Speed Microelectronics

新颖研究加急奖：高速微电子MBE生长材料上的皮秒光电导体

基本信息

批准号：
8611852
负责人：
Chi Lee
金额：
$ 3万
依托单位：
University of Maryland, College Park
依托单位国家：
美国
项目类别：
Standard Grant
财政年份：
1986
资助国家：
美国
起止时间：
1986-09-15 至 1988-02-29
项目状态：
已结题

来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8611852&HistoricalAwards=false
关键词：
Expedited Award Novel Research Piosecond

项目摘要

The PI proposes to integrate the piosecond photoconductors directly on the microelectronic devices made from semiconductor quantum wells and superlatives. This effort will collaborate with the Army Electronics Technology and Device Laboratory (ETDL) to develop efficient piosecond photoconductors on MBE materials and to devise on-chip piosecond measurement techniques for high speed electronic devices.

PI建议将皮秒级的光导体直接集成到由半导体量子阱和超级材料制成的微电子器件上。这项工作将与陆军电子技术和设备实验室(ETDL)合作，在MBE材料上开发高效的皮秒光导体，并设计用于高速电子设备的片上皮秒测量技术。

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

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