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Fort Monmouth Interaction: Picosecond Photoconductors on MBE Grown Materials for High Speed Microelectronics

Fort Monmouth Interaction：用于高速微电子学的 MBE 生长材料上的皮秒光电导体

基本信息

批准号：
8800548
负责人：
Chi Lee
金额：
$ 3.5万
依托单位：
University of Maryland, College Park
依托单位国家：
美国
项目类别：
Standard Grant
财政年份：
1988
资助国家：
美国
起止时间：
1988-05-15 至 1990-04-30
项目状态：
已结题

来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8800548&HistoricalAwards=false
关键词：
Fort Monmouth Interaction Picosecond Photoconductors

项目摘要

The PI will integrate the picosecond photoconductors directly onto the microelectronic devices made from semiconductor quantum wells and superlattices. This is a collaboration with the Army Electronics Technology and Device Laboratory (ETDL) to develop efficient picosecond photoconductors on MBE materials and to devise on-chip picosecond measurement techniques for high speed electronic devices. This is a request for renewal support of a grant originally awarded by the "expedited awards for novel research" program.

PI将把皮秒光电导体直接集成到由半导体量子威尔斯制成的微电子器件，超晶格这是一个与陆军电子公司合作的项目技术和设备实验室（ETDL）开发高效的在MBE材料上的皮秒光电导体和片上设计用于高速电子设备的皮秒测量技术。这是一个申请，要求重新支持最初由 “快速创新研究奖”项目

项目成果

期刊论文数量（0）

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