In Situ Growth of Indium Arsenide Antimonide Long Wavelength Infrared Detectors

原位生长砷化锑长波长红外探测器

• 批准号: 8960148
• 负责人: William Chan
• 金额: $ 5万
• 依托单位: Electro-Optek Corporation
• 依托单位国家: 美国
• 项目类别: Standard Grant
• 财政年份: 1990
• 资助国家: 美国
• 起止时间: 1990-01-01 至 1990-09-30
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8960148&HistoricalAwards=false
• 关键词: Situ; Growth; Indium; Arsenide; Antimonide

The recent advances in bandgap engineering by molecular beam epitaxy (MBE) have produced a strained superlattice (SSL) of InSb/InAs Sb capable of being made into photodiode detectors suitable for the long wavelength infrared (LWIR, 8-14 micron) spectral range. This project will attempt to develop a suitable multilayered buffer for near-perfect lattice matching between Si and epitaxial processes and trial epitaxy will be investigated, in the Phase I effort.

分子束带隙工程研究进展 外延（MBE）已经产生了应变超晶格（SSL）， 可制成光电二极管探测器的InSb/InAs Sb 适用于长波长红外（LWIR，8-14微米） 光谱范围 本项目将尝试开发一个合适的 用于Si之间的近完美晶格匹配的多层缓冲层 和外延工艺和试验外延将进行研究， 第一阶段的努力。