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Electron Tunneling Studies of Ultrathin Normal Metal Films
超薄普通金属薄膜的电子隧道研究
基本信息
- 批准号：9122268
- 负责人：
- 金额：$ 0.41万
- 依托单位：
- 依托单位国家：美国
- 项目类别：Continuing Grant
- 财政年份：1992
- 资助国家：美国
- 起止时间：1992-03-01 至 1992-08-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
It is proposed to investigate the enhanced electron-electron interactions that occur in disordered, two-dimensional metallic systems. Electron tunneling, a direct probe of the interactions, will be employed. Through these studies it is hoped to refine our current understanding of the metal/insulator transition in disordered materials.
建议研究在无序的二维金属系统中发生的增强的电子电子相互作用。 电子隧道是对相互作用的直接探测。 通过这些研究，希望能够完善我们目前对无序材料中金属/绝缘体过渡的理解。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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- 作者：
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Rebecca R. Ortiz
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