SBIR Phase II: Magnetoresistive Wafer Scale Memory with on Board Search/Cache Functions

SBIR 第二阶段：具有板载搜索/缓存功能的磁阻晶圆级存储器

• 批准号: 9508538
• 负责人: Arthur Pohm
• 金额: $ 30万
• 依托单位: Nonvolatile Electronics Inc
• 依托单位国家: 美国
• 项目类别: Standard Grant
• 财政年份: 1995
• 资助国家: 美国
• 起止时间: 1995-10-01 至 1997-09-30
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=9508538&HistoricalAwards=false
• 关键词: SBIR; Phase; II; Magnetoresistive; Wafer

9508538 Pohm This SBIR Phase II is for research on the commercialization of memories based on giant magnetoresistive materials. Test arrays of a small, high-output memory cell will be fabricated and evaluated for defect statistics and performance. Using the defect statistics, suitable redundancy and sparing strategies will be developed. Test structures for evaluating power and data busses will also be built and will be used to measure operating characteristics of the bus designs. Finally, a subsection of a 16 Megabit die will be fabricated for evaluation.

小行星9508538 SBIR第二阶段是研究基于巨磁阻材料的存储器的商业化。 一个小的，高输出的存储单元的测试阵列将被制造和缺陷统计和性能评估。 使用缺陷统计，适当的冗余和备用策略将被开发。 还将建立用于评估电源和数据总线的测试结构，并将用于测量总线设计的操作特性。 最后，一个16兆位芯片的一部分将被制造用于评估。