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An Investigation of Ultrathin SiO2 Films on Si: Gate Oxide Growth, Microstructure and Electronic Properties

An Investigation of Ultrathin SiO2 Films on Si: Gate Oxide Growth, Microstructure and Electronic Properties
硅上超薄 SiO2 薄膜的研究：栅极氧化物生长、微观结构和电子性能
批准号：
9530984
负责人：
Eric Garfunkel
金额：
$29.01万
依托单位：
Rutgers University New Brunswick
依托单位国家：
美国
项目类别：
Continuing Grant
财政年份：
1996
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1996-04-15 至 2000-03-31
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=9530984&HistoricalAwards=false
关键词：
InvestigationUltrathinSiO2FilmsSi

项目摘要

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9530984 Garfunkel The program addresses the study of ultra-thin (10 nm) oxides on silicon substrates. The investigation centers around a cross-correlation between growth mechanisms, composition, microstructure and electrical properties of the thin oxides. Medium Energy Ion Scattering (MEIS) will be employed together with a number of analytical and electrical techniques to provide a characterization of the transition region between the oxide and the underlying silicon substrate. ***
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会议论文
Eleventh African Materials Research Society (A-MRS) Conference
  • 批准号：
    2234941
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $4.9万
  • 财政年份：
    2022
  • 负责人：
    Eric Garfunkel
  • 依托单位：
    Materials Research Society
10th African Materials Research Society (A-MRS) Conference 2019
  • 批准号：
    1951292
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $4.9万
  • 财政年份：
    2019
  • 负责人：
    Eric Garfunkel
  • 依托单位：
    Materials Research Society
CONFERENCE: 9th African Materials Research Society (A-MRS) Conference 2017
  • 批准号：
    1748321
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $4.5万
  • 财政年份：
    2017
  • 负责人：
    Eric Garfunkel
  • 依托单位：
    Materials Research Society
8th African Materials Research Society Conference
  • 批准号：
    1601870
  • 项目类别：
    Standard Grant
  • 资助金额：
    $4.5万
  • 财政年份：
    2015
  • 负责人：
    Eric Garfunkel
  • 依托单位：
    Materials Research Society
海外基金