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Adsorption von Molekülen an strukturierten Fluid-Feststoff-Grenzflächen

分子在结构化流固界面的吸附

基本信息

批准号：
14762390
负责人：
Professorin Dr.-Ing. Heike Emmerich
金额：
--
依托单位：
Gesellschaft für Material- und Prozessoptimierung SimVisOpt mbH
依托单位国家：
德国
项目类别：
Priority Programmes
财政年份：
2005
资助国家：
德国
起止时间：
2004-12-31 至 2009-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/14762390?language=en
关键词：
Adsorption von Molek len strukturierten

项目摘要

Ziel dieses Projektes ist es, mit Hilfe eines Monte-Carlo-basierten mesoskopischen Hybridmodells die Wechselwirkung von Molekülen mit realistischen, strukturierten Fluid-Feststoff-Grenzflächen zu beschreiben. Der eigens hierzu entwickelte Algorithmus basiert auf einem anisotropen Ising-Modell, welches, auf ein Gittergas abgebildet, für die Anlagerung von Teilchen an gestuften Oberflächen entwickelt wurde, und der Kontinuumsbeschreibung eines vergleichbaren Problems, einem Phasenfeld- Modell für gestuftes Oberflächenwachstum. Die Wechselwirkungsparameter des Ising-Modells, d.h. die Wechselwirkungen der Teilchen untereinander und die Wechselwirkung der Moleküle mit der Oberfläche, werden mit first-principles -Methoden zur Berechnung der elektronischen Struktur bestimmt. Dafür soll eine Schnittstelle geschaffen werden, die eine Rückkopplung des Hybridschemas mit der first-principles - Methodik ermöglicht. Anwendung finden soll das Modell unter anderem bei folgenden Prozessen:(a) Beschreibung von Adhäsionsprozessen von Mehrkomponentenklebern auf Aluminiumoxid,(b) Verhinderung der Schädigung von Glas durch eine geordnete Bedeckung der Glas-Wasser-Grenzfläche mit Oxalat,(c) Ermittlung von Wachstumsraten organischer Moleküle in verschiedenen Lösungsmitteln und somit Erklärung der unterschiedlichen Habiti.

Ziel dieses项目清单，mit Hilfe eines Monte-Carlo-basierten mesoskopischen hybridmodelells die wehselwirkung von moleklen mit realistischen, struckturierten Fluid-Feststoff-Grenzflächen zu beschreiben。Der eigens hierzu entwickelte algorithm basmus basiert auf einem anisotropen isingmodel, welches, auf eittergas abgebildet, fr die Anlagerung von Teilchen and gestuften Oberflächen entwickelelt wurde, und Der Kontinuumsbeschreibung eines vergleichbaren Problems, einem Phasenfeld- model fell gestuftes Oberflächenwachstum。Die Wechselwirkungen der Teilchen untereinander and Die Wechselwirkung der molek<e:1> le mit der Oberfläche， werden mit第一性原理-Methoden zur Berechnung der elektronischen struckturm best estimation。[1] [d] [j]; [j]; [j]; [j]；Anwendung finden soll das Modell under anderem bei folgenden Prozessen:(a) Beschreibung von Adhäsionsprozessen von Mehrkomponentenklebern auf Aluminiumoxid,(b) Verhinderung der Schädigung von Glas durch eine geordnete Bedeckung der Glas-Wasser-Grenzfläche mit Oxalat,(c) Ermittlung von Wachstumsraten organischer molek<e:1> in verschiedenen Lösungsmitteln und somit Erklärung der underschiedlichen Habiti。