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Hysterese und Reaktionen auf Stress in organischen Feldeffekt-Bauelementen

Hysterese und Reaktionen auf Stress in organischen Feldeffekt-Bauelementen
有机场效应器件中的磁滞和应力响应
批准号:
169148029
负责人:
Privatdozentin Dr.-Ing. Susanne Scheinert
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2010
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2009-12-31 至 2014-12-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
Anliegen des Projektes ist die Aufklärung grundsätzlicher机械师,死于Feldeffektbauelementen zu Hysterese-Effekten and zu Veränderungen in folge von SpannungsStress führen and das Erreichen and wendungsanter of ofts und Schaltkreise erschare。在金属隔离器-哈尔布利特-结构(MIS)和组织结构(OFET)下进行了一种有效的金属隔离器和组织的模拟实验,并进行了分析。从文学的角度来说,这是一种新的形式,它是一种新的技术,它是一种新的技术和技术,也是一种新的技术。从材料组合到所有的机械制造都有详细的细节。Für die akutive Schicht der Bauelemente Wird hauptsächlich P3HT abor ather deaktive schicht der Bauelemente eingesetzt.ALS隔离器SIND光敏电阻材料、氮化物和二氧化硅材料。数字模拟在麻省理工学院的DEM程序Sentaurus Well grundsätzlich erweitert dr ch die theoretische Modellierung MIT Einbeziehong Solcher Prozesse,die in Existitierenenen SimulationsSind Implementiert Sind:Bipolaronen-Bildung und Dissoziation and bewegliche Ionen im Pol聚合物oder Isolator.它是一种现代和特殊的机械师,它强调的是一种新的经验和战略。
英文摘要
Anliegen des Projektes ist die Aufklärung grundsätzlicher Mechanismen, die in organischen Feldeffektbauelementen zu Hysterese-Effekten und zu Veränderungen infolge von Spannungsstress führen und das Erreichen anwendungsrelevanter OFETs und Schaltkreise erschweren. Hierzu werden umfassende experimentelle Untersuchungen beider Effekte simultan an Metall-Isolator-Halbleiter-Strukturen (MIS) und organischen Feldeffekt-Transistoren (OFET) durchgeführt und erstmals direkt gekoppelt mit ihrer Analyse auf der Grundlage zweidimensionaler Simulationen. Eigene Vorarbeiten und Ergebnisse in der Literatur haben gezeigt, dass die Effekte hauptsächlich von den Stressbedingungen abhängen und in analoger Weise für Polymere und niedermolekulare Materialien kombiniert mit verschiedenen Isolatoren auftreten. Daher können durch die detaillierte Untersuchung weniger Materialkombinationen allgemeingültige Aussagen zu den zugrunde liegenden Mechanismen gewonnen werden. Für die aktive Schicht der Bauelemente wird hauptsächlich P3HT aber auch Precursor-Pentacen eingesetzt. Als Isolator sind Photoresistmaterialien, Nitride und für Vergleichszwecke SiO2 vorgesehen. Die numerischen Simulationen mit dem Programm Sentaurus werden grundsätzlich erweitert durch die theoretische Modellierung mit Einbeziehung solcher Pro-zesse, die in existierenden Simulationsprogrammen nicht implementiert sind: Bipolaronen- Bildung und Dissoziation und bewegliche Ionen im Polymer oder Isolator. Die angestrebten Erkenntnisse über die entscheidenden Mechanismen von Hysterese und Spannungsstress er-möglichen eine Fundierung empirischer Strategien zur Bauelementeoptimierung.
期刊论文(2)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
DOI: 10.1063/1.4893317
发表时间: 2014
期刊: Journal of Applied Physics
影响因子: 3.2
作者: [J. Sprogies, S. Scheinert, I. Hörselmann]
通讯作者: I. Hörselmann
Influence of the carrier density in disordered organics with Gaussian density of states on organic field-effect transistors
高斯态密度无序有机物中载流子密度对有机场效应晶体管的影响
DOI: 10.1063/1.4863180
发表时间: 2014
期刊: Journal of Applied Physics
影响因子: 3.2
作者: [S. Scheinert, G. Paasch]
通讯作者: G. Paasch
Aufklärung des Funktionsprinzips und Optimierung eines organischen lichtemittierenden Feldeffekttransistors
  • 批准号:
    5438792
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2004
  • 负责人:
    Privatdozentin Dr.-Ing. Susanne Scheinert
  • 依托单位:
Bauelementeverhalten und Transporteigenschaften organischer Feldeffekt-Transistoren: Experiment-Simulation-Theorie
  • 批准号:
    5302126
  • 项目类别:
    Priority Programmes
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2001
  • 负责人:
    Privatdozentin Dr.-Ing. Susanne Scheinert
  • 依托单位:
海外基金