"In-situ" Untersuchungen des Einflusses der Oberflächengüte und Interface-Reaktionen auf das Benetzungsverhalten verschiedener Lotsysteme auf Siliziumkarbid am Großkammer-Rasterelektronenmikroskop

Das stoffschl<s:1> sigge f<s:1> gerverfahren Löten ermöglicht beständige verindungen mit hoher festikeit。他说：“我们的研究结果表明，我们的研究结果是正确的。”von Teilen mit vielen, schwer zugänglichen fgestellen aus。Zum fgen von schwerwerzbaren Sonderwerkstoffen werden zurzeit hochfeste Aktivlote verwendet, welche durch den Einsatz aktiverelement (z. B. Ti, Hf, Si, Cr, Zr) die Keramikoberflächen derart umwandeln, pass sie gelötet werden können。Eine weitere Möglichkeit Eine Lötung solcher Werkstoffe zu realisieren, bietet Eine, dem Lötvorgang vorgegegeny, Metallisierung der Keramikoberfläche。似乎项目werden Möglichkeiten der einfussnahme和Lötverbindungen durch den einfsatz modifizierter bzw。本征schaftsangepaster材料sowie metallisierter Keramikoberflächen评价。Neben dem grundlegenden Verständnis der beim Löten von Siliziumkarbid mit metallischen f<s:1> gepartnern auftretenden physikalischen and chemischen Prozesse sollen vorallem Aussagen <s:2> berderen Wechselwirkungen mit der Oberfläche der Keramik ermittelt werden。Diese Erkenntnisse bilden eine Grundlage f<e:1>或eine weitere gezielte Optimierung des Aktivlötprozesses。Die chemischen Vorgänge werden dureine分析des Phasen and element haltes in Lötgefüge inbesonere in der Reaktionszone zwischen Keramik and Aktivlot untersucht。1 . Die komplexen physikalischen Prozesse der Benetzung和Ausbreitungskinetik werden in Abhängigkeit von den prozessparameteren sowie der der zubenetzenden realen Oberfläche betrachet。vorallem bei der Charakterisierung der Benetzung and Ausbreitung des Lotes während des Lötvorgangs in Abhängigkeit von der Zeit, best noch forschungshedarf。Aus diesem Grund werden im Rahmen des Projektes direcrekte“原位”-Untersuchungen mit diverversen Lotlegierungen und Oberflächentopologien im Großkammer-REM durchgef<s:1> hrt。•分析der Grenzflächenreaktion mit SiC和FeNi-Legierungen•Klärung des Einflusses von Interfacereaktionen和Oberflächentopologie der Fügefläche auf das Benetzungs- und Ausbreitungsverhalten。

Das stoffschlüssige Fügeverfahren Löten ermöglicht beständige Verbindungen mit hoher Festigkeit. Es zeichnet sich insbesondere durch seine gute Eignung für die Fertigung von Massenteilen bzw. von Teilen mit vielen, schwer zugänglichen Fügestellen aus. Zum Fügen von schwer benetzbaren Sonderwerkstoffen werden zurzeit hochfeste Aktivlote verwendet, welche durch den Einsatz aktiver Elemente (z. B. Ti, Hf, Si, Cr, Zr) die Keramikoberflächen derart umwandeln, dass sie gelötet werden können. Eine weitere Möglichkeit eine Lötung solcher Werkstoffe zu realisieren, bietet eine, dem Lötvorgang vorgezogene, Metallisierung der Keramikoberfläche. In diesem Projekt werden Möglichkeiten der Einflussnahme auf Lötverbindungen durch den Einsatz modifizierter bzw. eigenschaftsangepasster Lotmaterialien sowie metallisierter Keramikoberflächen evaluiert. Neben dem grundlegenden Verständnis der beim Löten von Siliziumkarbid mit metallischen Fügepartnern auftretenden physikalischen und chemischen Prozesse sollen vor allem Aussagen über deren Wechselwirkungen mit der Oberfläche der Keramik ermittelt werden. Diese Erkenntnisse bilden eine Grundlage für eine weitere gezielte Optimierung des Aktivlötprozesses. Die chemischen Vorgänge werden durch eine Analyse des Phasen- und Elementgehaltes im Lötgefüge insbesondere in der Reaktionszone zwischen Keramik und Aktivlot untersucht. Die komplexen physikalischen Prozesse der Benetzung und Ausbreitungskinetik werden in Abhängigkeit von den Prozessparametern sowie der zu benetzenden realen Oberfläche betrachtet. Vor allem bei der Charakterisierung der Benetzung und Ausbreitung des Lotes während des Lötvorgangs in Abhängigkeit von der Zeit, besteht noch Forschungsbedarf. Aus diesem Grund werden im Rahmen des Projektes direkte „in-situ“-Untersuchungen mit diversen Lotlegierungen und Oberflächentopologien im Großkammer-REM durchgeführt.Die Schwerpunkte der Arbeit sind:• Analyse der Grenzflächenreaktion mit SiC und FeNi-Legierungen• Klärung des Einflusses von Interfacereaktionen und Oberflächentopologie der Fügefläche auf das Benetzungs- und Ausbreitungsverhalten.