Zweikammer-Plasmaätzanlage

两室等离子刻蚀系统

• 批准号: 179010251
• 金额: --
• 依托单位: Technische Universität Bergakademie Freiberg
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Major Research Instrumentation
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2009-12-31 至 无数据
• 项目状态: 未结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/179010251?language=en
• 关键词: Zweikammer; Plasma; tzanlage

„Die beantragte Zweikammer-Plasmaätzanlage bildet einen unverzichtbaren Bestandteil zur Schließung der Prozesskette im Zentralen Reinraumlabor der TU Bergakademie Freiberg. Sie vervollständigt die technologischen Prozessschritte durch die Möglichkeit einer Strukturierung und auch gezielten Modifizierung. Nachdem für die Schichtabscheidung und Kontaktierung Lösungen existieren bzw. in nächster Zeit bereitstehen, wobei bereits eine Auslegung von Strukturen durch Lithographieprozesse möglich ist, kann erst durch die hier beantragte Anlage die erforderliche Annäherung an die angestrebten Funktionselemente, wie nichtflüchtige Speicher und Sensoren, in allen grundlegenden Belangen erfolgen. Die Anlage hat durch die Möglichkeiten der räumlichen Strukturierung und auch der gezielten Beeinflussung der Kristallstruktur der Materialien sowie der Aktivierung von Oberflächen durch den seit dem Jahr 2009 für zunächst 5 Jahre laufenden Spitzentechnologiecluster ADDE zusätzlich an Bedeutung gewonnen, da sie die Verfolgung der Intention des „Materialdesign durch Defektengineering“ von ADDE auf unterschiedlichen Skalen ermöglicht.“

“在德国佛莱堡大学劳动学院学习如何提高劳动质量？ ”链接：vervollständigt die technologischen Prozessschritte durch die Möglichkeit einer struckturierung and auch gezielten Modifizierung。Nachdem f<e:1> r die Schichtabscheidung and kontaktiung Lösungen existtieren bzw。在nächster Zeit bereitstehen， wobei bereits eine Auslegung von Strukturen durch lithography prozesse möglich ist, kanst durch die hier beantragte Anlage die erforderliche Annäherung and die angestrebeten Funktionselemente, with nichtflflchtige Speicher und Sensoren，在allen grundlegenden Belangen erfolgen。Die anage hat durch Die Möglichkeiten der räumlichen Strukturierung和auch der gezielten beinflussung der Kristallstruktur der Materialien sowie der Aktivierung von Oberflächen durch den seit dem Jahr 2009 f<s:1> r zunächst 5 Jahre laufenden spitzenttechnologies集群ADDE zusätzlich和Bedeutung gewonnen， da sie Die Verfolgung der Intention des " Materialdesign durch defktenengineering " von ADDE auf unterschiedlichen Skalen ermöglicht。”

项目成果

Microstructure of V-based ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures at a reduced annealing temperature

降低退火温度下 AlGaN/GaN 异质结构的 V 基欧姆接触的微观结构

• DOI: 10.1063/1.4907735
• 发表时间: 2015
• 期刊: Applied Physics Letters
• 影响因子: 4
• 作者: A. Schmid;Ch. Schröter;R. Otto;M. Schuster;V. Klemm;D. Rafaja;J. Heitmann
• 通讯作者: J. Heitmann

Oxygen and hydrogen profiles and electrical properties of unintentionally doped gallium nitride grown by hydride vapor phase epitaxy

• DOI: 10.1002/crat.201400468
• 发表时间: 2015-06
• 期刊: Crystal Research and Technology
• 影响因子: 1.5
• 作者: V. Garbe;B. Abendroth;H. Stöcker;A. Gavrilov;D. Cohen-Elias;S. Mehari;D. Ritter;D. Meyer