Device-Level Intrinsic Linearity Optimization of GaN Power FETs BAsed on Volterra Series Technique for Highly Linear RF Power Amplifier Design

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Die intensive Verwendung von komplexen Mobilfunksignalen bedeutet für den Designer von hochlinearen Leistungsverstärkern für Basisstationen noch immer eine große Herausforderung. Man verlässt sich letztlich auf aufwendige externe Linearisierungstechniken, um die 3G Spezifikationen zu erfüllen. Es ist daher von großer Bedeutung, die Linearität des Verstärkers, insbesondere die des verwendeten Transistors, zu verbessern. Auf der Grundlage der Volterrareihen-Technik sollen die wesentlichen physikalischen Quellen für Intermodulationsverzerrungen in AlGaN/GaN HEMTs ausfindig gemacht werden. Es soll ein neues Werkzeug zur Optimierung der Linearität auf Bauelement-Ebene entwickelt werden. Die klassische Volterrareihen-Methode soll dahingehend erweitert werden, dass die Intermodulationseigenschaften unter Großsignalanregung analysiert werden können. Das neue Großsignal-IMD-Bauelementmodell wird für den Bauelement-Technologen eine Hilfe sein, die Technologieparameter zu analysieren und so zu verändern, dass eine verbesserte Linearität des Bauelements erreicht wird.