Device-Level Intrinsic Linearity Optimization of GaN Power FETs BAsed on Volterra Series Technique for Highly Linear RF Power Amplifier Design

Die intensive Verwendung von komplexen Mobilfunksignalen bedutet für den Designer von hochlinearen Leistungsverstärkern für Basisstationen noch immer eine große Herausforderung. Man verlässt sich letztlich auf aufwendige externe Linearisierungstechniken，um die 3G Spezifikationen zu erfüllen.这是一个巨大的背景，垂直线，插入到测试晶体管中。基于Volterra技术的基本原理，我们将找到韦尔登HEMT中互调制的物理特性。Es soll ein neues Werkzeug zur Optimierung der Linearität auf Bauelement-Ebene entwickelt韦尔登.经典的Volterrareihen方法可以理解韦尔登，因为互调制本身就是大信号分析韦尔登的基础。新的大信号-IMD-Bauelementmodell将为Bauelement-Technology提供一个帮助，分析和验证技术参数，使Bauelements的线性度变差。

Die intensive Verwendung von komplexen Mobilfunksignalen bedeutet für den Designer von hochlinearen Leistungsverstärkern für Basisstationen noch immer eine große Herausforderung. Man verlässt sich letztlich auf aufwendige externe Linearisierungstechniken, um die 3G Spezifikationen zu erfüllen. Es ist daher von großer Bedeutung, die Linearität des Verstärkers, insbesondere die des verwendeten Transistors, zu verbessern. Auf der Grundlage der Volterrareihen-Technik sollen die wesentlichen physikalischen Quellen für Intermodulationsverzerrungen in AlGaN/GaN HEMTs ausfindig gemacht werden. Es soll ein neues Werkzeug zur Optimierung der Linearität auf Bauelement-Ebene entwickelt werden. Die klassische Volterrareihen-Methode soll dahingehend erweitert werden, dass die Intermodulationseigenschaften unter Großsignalanregung analysiert werden können. Das neue Großsignal-IMD-Bauelementmodell wird für den Bauelement-Technologen eine Hilfe sein, die Technologieparameter zu analysieren und so zu verändern, dass eine verbesserte Linearität des Bauelements erreicht wird.