Rein elektrische Spininjektion durch Spin-Bahn-Wechselwirkung in gyrotropen Nanostrukturen (C02)

在一个Halbleiter中的Spinininjektion是一个位于Spinronikdar边界上的中心问题。在韦尔登实验项目中，通过对铁磁材料的测试，获得了电自旋注入的非线性磁效应，该项目的第一部分是对电自旋注入产生的反向自旋-电流效应和自旋-霍尔效应的分析。通过隧道的非磁性材料进行自旋注入，可以提高磁场的自旋强度--或者使韦尔登的自旋强度。

Die Spininjektion in einen Halbleiter stellt eines der zentralen Probleme auf dem Gebiet der Spintronikdar. Den unterschiedlichen Möglichkeiten zur elektrischen Spininjektion ohne die Verwendung vonferromagnetischen Materialien soll im Rahmen dieses Projektes experimentell nachgegangen werden.Im ersten Teil des Projektes ist die Analyse der durch elektrischen Strom induzierten Spin-Orientierungder Ladungsträger (inverser Spin-galvanischer Effekt) und des Spin-Hall- Effekts vorgesehen. Imzweiten Teil soll Spininjektion durch Tunneln zwischen nichtmagnetischen Materialien über eine Barrieremit aufgehobener Spin-Entartung des Leitungs- oder Valenzbandes nachgewiesen werden.