Grundlagen der reversiblen Phasenumwandlung in Chalcogenid-Schichten zur Anwendung als optische Datenspeicher

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Im Rahmen dieses Forschungsprojektes soll ein grundlegendes Verständnis der laserinduzierten, reversiblen Phasenumwandlungen in dünnen Schichten ternärer Ge-Sb-Te-Legierungen erzielt werden. Hierbei handelt es sich um Phasenumwandlungsprozesse, bei denen kurze Laserpulse zur Amorphisation oder zur Rekristallisation von Bereichen mit Durchmessern von ca. 1µm führen. Der hohe optisch Kontrast zwischen kristalliner und amorpher Phase und die Schnelligkeit der Phasenumwandlung machen dieses System im Hinblick auf zukünftige Anwendungen in der optischen Speicherung großer Datenmengen besonders interessant. Es sollen Schichten mit Zusammensetzung im gesamten ternären System Ge-Sb-Te abgeschieden und hinsichtlich ihrer Zusammensetzung und Struktur charakterisiert werden. Die Dynamik der laserinduzierten Phasenübergänge wird experimentell mit dem Ziel untersucht, die thermodynamischen und kinetischen Materialparameter (Phasenumwandlungsgeschwindigkeit, Struktur der Phasen, Umwandlungs- und Schmelztemperaturen usw.) zu ermitteln. Diese Ergebnisse werden im Hinblick auf die Eignung des ternären Systems für technische Anwendungen als optischen Speicher ausgewertet. *