Selektive Kristallisation aus Lösungsmitteltröpfchen auf amorphe Unterlage

从硅晶石到硅晶石，再加上硅晶石和硅晶石的性能，从根本上来说，这是一件非常重要的事情。这是一种新的实验方法，也是最好的方法。从最优的方法和最优的方法中选择一种新的方法和方法来解决问题。施沃朋克特将材料与硅材料结合在一起，很好地实现了这一点。这是一种新的结晶器结构，是一种新的结晶器，它是一种新的结晶器。在Zukünftigen实验中发现了一种名为Strukturen oswachsen的晶体。在Einfacher Weise Ohne fotolithografiche Strukturierung，Keimbildung和Bevvzugten Stellen zu ermöglichen，wind das natürliche Koaleszensverhalten dünner Metallfilme beTemperaturen oberhalb ihres Schmelzpenktes augenutzt.Für das aufzubringende silicium sind die gebildeten Metalltröpfchen au？erdem Lösungsmittel，so da？eine Züchtung be niedrigen，glasverträglichen temperaturen möglich ist.Das Wachstum der Kristallite Erfolgt Nach DEM Ved Liquid Solid-Machismus(VLS)in Einem Stationären Temperaturgradienten，hervorgerufen dh dh die reisierte Strahrungsheizung der Probenvorderseite and die Kühung der Rück seite.

Die prinzipielle Möglichkeit, Silicium-Kristallite hoher Perfektion an definierten Stellen auf einem amorphen Substrat aufzuwachsen, konnte im Rahmen des bisherigen DFG-Forschungsprojektes nachgewiesen werden. Es gelang, die hierfür von uns vorgeschlagene, neuartige Züchtungsmethode experimentell im Labormaßstab umzusetzen. Aufbauend auf diesen Ergebnissen soll an der Optimierung der Methode und an einer Vertiefung des theoretischen Verständnisses zur Keimbildung und zum Energie- und Materialtransport weiter gearbeitet werden. Schwerpunkt bleibt die Materialkombination Silicium auf Glas, weil sich hierfür eine Reihe von technischen Anwendungen abzeichnet. Da wegen des Fehlens eines kristallographischen Gitters der Unterlage kein epitaktisches Verwachsen von Substrat und Deposit möglich ist, werden zunächst punktuell gut haftende, texturierte Depositkristallite erzeugt. Die als Keimzentren fungierenden Kristallite sollen in zukünftigen Experimenten epitaktisch zu schichtartigen Strukturen auswachsen. Um in einfacher Weise ohne fotolithografische Strukturierung, Keimbildung an bevorzugten Stellen zu ermöglichen, wird das natürliche Koaleszensverhalten dünner Metallfilme bei Temperaturen oberhalb ihres Schmelzpunktes ausgenutzt. Für das aus der Gasphase aufzubringende Silicium sind die gebildeten Metalltröpfchen außerdem Lösungsmittel, so daß eine Züchtung bei niedrigen, glasverträglichen Temperaturen möglich ist. Das Wachstum der Kristallite erfolgt nach dem Vapour Liquid Solid-Mechanismus (VLS) in einem stationären Temperaturgradienten, hervorgerufen durch die realisierte Strahlungsheizung der Probenvorderseite und die Kühlung der Rückseite.