Reaktive Ionenätzanlage

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„Das Institut für Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflächen arbeitet an der Herstellung und quan-tenoptischen Charakterisierung von komplexen Halbleiterquantenpunktsystemen. Vor allem im Mate-rialsystem InP/AIGalnP ist eine außerordentliche Expertise am Institut vorhanden. Dies versetzt uns in die Lage diese Nanostrukturen in Mikrokavitäten einzubetten, um die fundamentalen Eigenschaften dieser Systeme zu studieren, die Emissionseffizienz einzelner Emitter zu erhöhen, neue Quanten-punktbauelemente herzustellen und die Integration dieser Strukturen mit bestehender Silizium-Technologie voran zu treiben. Neben der atomlagen genauen Herstellung der Halbleiterstrukturen ist auch die Halbleiterprozessierung und hier vor allem die Ätztechnik von entscheidender Bedeutung. Hierbei ist es notwendig, Strukturen mit lateraler Ausdehnung von unter einem Mikrometer, aber einer Tiefe zwischen 3 bis 5 Mikrometern mit extrem geringen Oberflächenrauigkeiten und senkrechten Seitenflanken, reproduzierbar herzustellen. Des Weiteren wird mit sehr unterschiedlichen Material-kombinationen gearbeitet (Gruppe III-Nitride, klassische III-V Halbleiter, III-V-Si Kombinationen) die eine sehr große Flexibilität in den Ätzverfahren verlangen. Bisher hat das Institut nur Zugang zu Ätz-techniken, die diese Flexibilität nicht aufweisen und auch keine großen Ätztiefen erlauben. Die bean-tragte Anlage kombiniert konventionelle RIE mit Chlorchemie basierter ICP Technik und bietet uns somit nachhaltig die Möglichkeit der Nanostrukturierung.“