Inorganic/organic core/shell GaN-based nanowire light-emitting diodes based on Förster resonant energy transfer (B08)

基于 Förster 谐振能量转移的无机/有机核/壳 GaN 基纳米线发光二极管 (B08)

• 批准号: 207942856
• 金额: --
• 依托单位: Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik (PDI)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Collaborative Research Centres
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2010-12-31 至 2014-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/207942856?language=en
• 关键词: Inorganic; organic; core; shell; GaN

Das zentrale Ziel dieses Projektes ist die Realisierung von Leuchtdioden aus anorganischen GaN-basierten Nanodrähten umhüllt von konjugierten organischen Molekülen auf der Basis des resonanten Energietransferprozesses nach Förster (FRET). Um dieses Ziel zu erreichen, ist das Projekt in drei Abschnitte gegliedert. Im ersten Abschnitt wird der FRET-Prozess für planare (In,Ga)N/GaN-Schichten, die mit konjugierten organischen Molekülen bedeckt sind, mittels Photolumineszenzspektroskopie untersucht. Im zweiten Abschnitt werden diese Untersuchungen auf (In,Ga)N/GaN-Nanodrähte ausgedehnt. Im letzten Abschnitt wird die Wirkung des FRET-Prozesses für licht-emittierende p-i-n (In,Ga)N/GaN-Nanodraht-Dioden mittels Elektrolumineszenzspektroskopie untersucht.

Das zentrale Ziel dieses Projektes ist die Realisierung von Leuchtdioden aus anorganischen GaN-baseden Nanodrähten umhüllt von conjugierten organischen Molekülen auf der Basis des resonanten Energietransferprozesses nach Förster（FRET）.这是三个项目中的一个。首先，我们将利用FRET工艺制备平面（In，Ga）N/GaN-Schichten，并将其与有机分子结合，实现光致发光。在第二次实验中，我们对（In，Ga）N/GaN纳米线进行了研究。本文介绍了用于电致发光的p-i-n（In，Ga）N/GaN纳米线-二极管的FRET工艺。