Inorganic/organic core/shell GaN-based nanowire light-emitting diodes based on Förster resonant energy transfer (B08)

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Das zentrale Ziel dieses Projektes ist die Realisierung von Leuchtdioden aus anorganischen GaN-basierten Nanodrähten umhüllt von konjugierten organischen Molekülen auf der Basis des resonanten Energietransferprozesses nach Förster (FRET). Um dieses Ziel zu erreichen, ist das Projekt in drei Abschnitte gegliedert. Im ersten Abschnitt wird der FRET-Prozess für planare (In,Ga)N/GaN-Schichten, die mit konjugierten organischen Molekülen bedeckt sind, mittels Photolumineszenzspektroskopie untersucht. Im zweiten Abschnitt werden diese Untersuchungen auf (In,Ga)N/GaN-Nanodrähte ausgedehnt. Im letzten Abschnitt wird die Wirkung des FRET-Prozesses für licht-emittierende p-i-n (In,Ga)N/GaN-Nanodraht-Dioden mittels Elektrolumineszenzspektroskopie untersucht.