New generation of high-power widely-tunable mid-IR lasers using novel collinear orthogonally-polarized two-color semiconductor VECSEL
采用新型共线正交偏振双色半导体 VECSEL 的新一代高功率宽可调中红外激光器
基本信息
- 批准号:1303476
- 负责人:
- 金额:$ 35.93万
- 依托单位:
- 依托单位国家:美国
- 项目类别:Standard Grant
- 财政年份:2013
- 资助国家:美国
- 起止时间:2013-04-15 至 2018-09-30
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Objective: The objective of this research is to study and develop a novel high-power (watt-level), widely tunable, compact 3.5-4 micron laser source. The approach is based on a novel intra-cavity collinear type-II difference frequency generation (DFG) in a two-chip T-cavity vertical external-cavity surface-emitting laser (VECSEL). Wavelength tuning of each chip around the gain maxima will result in high power wide wavelength tuning in the mid-IR band. The proposed high quality factor doubly-resonant laser cavity will open doors to a new class of high power semiconductor-based mid- to far-IR lasers and will have a transformative effect in various fields of science. Intellectual Merit: The proposed research is to develop a new class of high-power, compact, widely-tunable mid-IR laser sources. Significant research and technical advancement will be made in areas such as: semiconductor laser and cavity design, nonlinear optical materials, thermal management, and difference frequency conversion. The proposed intra-cavity DFG in a two-color doubly-resonant VECSEL cavity will open doors to a new class of high power semiconductor-based mid- to far-IR lasers.Broader Impact: The proposed mid-IR source will have significant future scientific impact on various fields of science and engineering and multi-disciplinary education and outreach. In addition to the application-rich mid-IR, the proposed concept can be extended to the untapped spectral regions in the far-IR providing even more research opportunities in the future. The interdisciplinary nature of the proposed research will provide powerful and unique educational opportunities for graduate and undergraduate and underrepresented minority students.
目的:这项研究的目的是研究和开发一种新型的高功率(瓦级),可调,紧凑的3.5-4微米激光源。该方法基于一种新型的腔内界线类型II型差异频率产生(DFG),这是在两片T型T-cavity垂直外部腔体发射激光器(VECSEL)中。每个芯片在增益最大值周围的波长调整将导致IR频段中的高功率宽波长调谐。拟议的高质量因子双共振激光腔将为新的基于高功率半导体的新型中部和远射激光打开大门,并将在各个科学领域具有变革性效应。知识分子的优点:拟议的研究是开发一类新的高功率,紧凑,可容纳的中红色激光来源。将在诸如半导体激光和空腔设计,非线性光学材料,热管理和差异频率转换之类的领域进行大量研究和技术进步。拟议的两种双色双共振的VECSEL腔中拟议的腔内DFG将为一类新的基于高功率半导体的中型激光器和Far-far-far-far-far-far-dir激光打开大门。Boader的影响:拟议中的IR源将对科学和工程和多学科教育和多学科教育的各种领域产生重大的未来科学影响。除了富含应用的中期IR外,提出的概念还可以扩展到Far-Ir的未开发的光谱区域,从而为未来提供更多的研究机会。拟议的研究的跨学科性质将为研究生,本科和代表性不足的少数民族学生提供强大而独特的教育机会。
项目成果
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