Modellentwicklung und Parameterextraktion zur physikalischen basierten Simulation des Schaltverhaltens von IGBT in Schaltungssimulatorren

电路模拟器中 IGBT 开关行为物理仿真的模型开发和参数提取

• 批准号: 219804322
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Hans-Günter Eckel
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Elektrische Energietechnik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2011-12-31 至 2013-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/219804322?language=en
• 关键词: Modellentwicklung; und; Parameterextraktion; zur; physikalischen

Im Rahmen dieses Vorhaben sollen ein Modell zur Simulation des Schaltverhaltens von Insulated Gate Bipolar Transistoren (IGBT) in Schaltungssimulatoren und ein Verfahren zur Parameterextraktion entwickelt werden. Mit diesem Modell soll das Zusammenspiel zwischen dem IGBT und seiner Ansteuerschaltung untersucht werden können. Es soll sich dafür zwischen physikalisch basierten Modellen zur FEM Simulation und Modellen mit passiven und aktiven Ersatzelementen zur Schaltungssimulation einordnen. Folgende Ziele werden dabei verfolgt:• Modellierung des Ausschaltens des IGBT mit einer ausreichenden Genauigkeit, um die Wechselwirkung zwischen dem IGBT und komplexen Ansteuerschaltungen simulieren zu können. Dazu sollen sowohl das Ausräumen des Plasmas als auch der Strom durch die Miller-Kapazität physikalisch fundiert wiedergegeben werden. So soll ein Einblick in die physikalischen Vorgänge im Inneren des IGBT während der Schaltflanken gewährt und ein besseres Verständnis für Ursachen und Wirkungen beim Eingriff der Ansteuerung auf den IGBT ermöglicht werden.• Räumlich analytisch lösbares Gleichungssystem, Verzicht auf rechenintensive FEM Rechnung, dadurch gute Integrierbarkeit in Schaltungssimulatoren.• Parametrierbarkeit des Modells durch Messungen, dadurch Unabhängigkeit von Herstellerangaben zu bauteilinternen Größen, die oft nicht zur Verfügung stehen.

[3] [4] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [4]麻省理工学院（Mit）出售了一种新型的数学模型，该模型被称为“Zusammenspiel zwischen dem”，并被称为“Ansteuerschaltung untersucht werden können”。本文介绍了基于物理基础的模型有限元模拟和基于被动和主动的模型有限元模拟。•Modellierung des Ausschaltens des IGBT mitiner ausreichenden Genauigkeit， um die wehselwirkung zwischen dem IGBT和komplexen Ansteuerschaltungen simulien zukönnen。大足sollen sowohl das Ausräumen des Plasmas als auch der Strom durch die Miller-Kapazität physikalisch fundert wiedergegeben werden。因此，soll ein ininblick in die physikalischen Vorgänge im Inneren des IGBT während der Schaltflanken gewährt and ein besseres Verständnis fbr Ursachen and werkungen bem Eingriff der Ansteuerung auden IGBT ermöglicht werden。•Räumlich analytisch lösbares gleichunssystem, Verzicht auf - rechenintensive FEM rechung, dadurch gute Integrierbarkeit in Schaltungssimulatoren。•parametererbarkeit des models durch Messungen, dadurch Unabhängigkeit von Herstellerangaben zu bauteilinternen Größen, die ofightzur verf<e:1> gung stehen。