Bestimmung von Elektronenstreudaten zur Zusammensetzungsanalyse von Halbleiternanostrukturen mittels hochauflösender Elektronenmikroskopie

使用高分辨率电子显微镜测定半导体纳米结构成分分析的电子散射数据

• 批准号: 23528762
• 负责人: Professor Dr. Andreas Rosenauer
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Festkörperphysik (IFP)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2005-12-31 至 2017-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/23528762?language=en
• 关键词: Bestimmung; von; Elektronenstreudaten; zur; Zusammensetzungsanalyse

Ziel des Projektes ist die experimentelle und theoretische Bestimmung von Struktur- und Debye- Waller Faktoren für technologisch relevante Halbleitermaterialien. Diese Daten bilden eine Basis zur Untersuchung der chemischen Morphologie von Halbleiternanostrukturen mittels quantitativer hochauflösender Transmissionselektronenmikroskopie. Hierzu soll die bislang zur Berechnung von Strukturfaktoren häufig vernachlässigte Umverteilung von Elektronen in chemischen Bindungen sowie die in Legierungshalbleitern aufgrund unterschiedlicher Atomradien gemischter Elemente entstehenden atomaren Verschiebungen berücksichtigt werden. Strukturfaktoren und die bisher nur ungenau bekannten Debye-Waller Temperaturfaktoren sollen mit ab-initio Methoden für eine Reihe von binären und ternären III-V und II-VI Halbleitern der Zinkblendestruktur sowie für Nitrid-basierte Halbleiter der Wurtzitstruktur verspannungsabhängig bestimmt werden. Die gewonnenenWerte sollen experimentell durch Intensitätsmessungen von Beugungsreflexen überprüft werden. Die geplante Bestimmung von Elektronenstreudaten bildet eine Grundlage für quantitative Untersuchungen von Halbleiternanostrukturen mittels hochauflösender Transmissionselektronenmikroskopie und leistet somit einen allgemeinen Beitrag zur Verbesserung der quantitativen Interpretierbarkeit elektronenmikroskopischer Messungen.

该项目是对结构和德拜-沃勒材料相关技术的实验和理论研究。这些数据建立了一个研究Halbleiternanostrukturen的化学形态学的基础，它可以定量地描述hochauflösender Transmissionselektronenmikroskopie。Hierzu soll die bislang zur Berechnung von Strukturfaktoren häufig vernachlässigte Umvertelung von Elektronen in chemischen Bindungen sowie die in Legierungshalbleitern aufgrund unterdumplicher Atomradien gemischter Elemente entstehenden atomaren Vertebungen berücksichtigt韦尔登.结构设计和热分析仅适用于Debye-Waller温度设计，采用从头计算方法对锌合金结构的III-V族和II-VI族半导体进行二次和三次设计，从而对Wurtzitstruktur的氮化物基半导体进行韦尔登测试。通过对韦尔登反射强度的测量，可以得出最佳实验结果。Die geplante Bestimmung von Elektronenstreudaten bildet eine Grundlage für quantitative Untersuchungen von Halbleiternanostrukturen mittels hochauflösender Transmissionselektronenmikroskopie und leistet somit einen allgemeinen Beitrag zur Verbesserung der quantitativen Interpretierbarkeit elektronenmikroskopischer Messungen.

项目成果

Optimization of NBED simulations for disc-detection measurements.

椎间盘检测测量的 NBED 模拟优化

• DOI: 10.1016/j.ultramic.2017.04.015
• 发表时间: 2017
• 期刊: Ultramicroscopy
• 影响因子: 2.2
• 作者: T. Grieb;F. Krause;Ch. Mahr;D. Zillmann;K. Müller-Caspary;M. Schowalter;A. Rosenauer
• 通讯作者: A. Rosenauer