Messung des mittleren inneren Potentials von Halbleitern

测量半导体的平均内部电位

• 批准号: 5379201
• 负责人: Professor Dr. Andreas Rosenauer
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Festkörperphysik (IFP)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2002
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2001-12-31 至 2005-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5379201?language=en
• 关键词: Messung; des; mittleren; inneren; Potentials

Ziel des Projekts ist die elektronenholographische Messung und theoretische Berechnung des mittleren inneren Potentials von Si, Ge und technologisch relevanten III/V- und II/VI-Verbindungshalbleitern. Das MIP ist das innerhalb einer Kristalleinheitszelle gemittelte atomare elektrostatische Potential und enthält Information über Größe und Zusammensetzung der Einheitszelle. In der Transmissionselektronenmikroskopie beeinflußt das MIP die Phase der Elektronenwelle, deren Messung durch holographische Methoden ermöglicht wird. Auf diese Weise liefert die TEM mit dem MIP verknüpfte Objekteigenschaften wie die lokale Zusammensetzung der Probe oder ihre Dicke. Eine genaue Kenntnis des MIP ist eine notwendige Voraussetzung für die quantitative holographische TEM, die zur strukturellen und chemischen Analyse von Halbleiter-Nanostrukturen auf atomarer Skala und zur Messung innerer Felder eingesetzt wird. Derartige Untersuchungen liefern z.B. quantitative Daten über Diffusions- und Segregationsprozesse während des epitaktischen Wachstums von Halbleiternanostrukturen und erlauben die Messung dotierungsabhängiger elektrischer Felder in Bauelementen. Die Kenntnis des MIP besitzt hohe technologische Relevanz und schafft die Grundlage für eine quantitative Charakterisierung von Halbleitern mittels Elektronenholographie.

该项目是对硅、锗和相关III/V-和II/VI-探测技术的内电位的电子全息测量和理论研究。MIP是一种具有原子静电势的Kristalleinheitszelle，它能提供能量和能量信息。在透射电子显微镜中，MIP会影响到电子显微镜的相位，因此将通过全息方法测量。在此期间，TEM与MIP一起使用，可以像探测器或迪凯的局部定位一样定位目标。MIP的一般性质是对TEM的定量全息测量，对原子骨架上的Halbleiter-Nanostrukturen的结构和化学分析，以及对内部Felder结构的测量。Derartige Untersuchungen liefern z.B. quantitative Daten über Diffusions- und Segregationsprozesse während des epitaktischen Wachstums von Halbleiternanostrukturen und erlauben die Messung dotierungsabhängiger elektrischer Felder in Bauelementen. MIP的本质在于其技术相关性，并将其作为Halbleitern的一个定量特征的基础。