SBIR Phase II: Disruptive Semiconductor Software Tool for Recipe Optimization for Deposition and Etching Processes

SBIR 第二阶段:用于沉积和蚀刻工艺配方优化的颠覆性半导体软件工具

基本信息

  • 批准号:
    1951245
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 73.48万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    美国
  • 项目类别:
    Standard Grant
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    美国
  • 起止时间:
    2020-04-01 至 2023-06-30
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

The broader impact/commercial potential of this Small Business Innovation Research (SBIR) Phase II project is the enablement of next generation manufacturing technologies for semiconductor devices. The deployment of novel semiconductor devices such as 3D NAND, the latest device architecture developed for flash memory, is often stymied by the development of nanomanufacturing processes. The objective of this proposal is to build upon a recipe prediction platform to create a standalone software solution for semiconductor equipment and chip manufacturers to rapidly optimize their processes. In this research, the software speed will be increased, prediction capabilities will be extended to 3D structures, and model calibration will be automated to facilitate customer deployment. By accelerating the development of the processes used in device fabrication, this project reduces the cost of recipe development in the semiconductor industry and bringing next-generation technologies to fruition.This Small Business Innovation Research (SBIR) Phase II project will develop new advanced physical and statistical models to quickly and accurately predict outcomes for processes like plasma etch and deposition. In this research, 2D and 3D profile simulations will be algorithmically optimized for speed to give process engineers instantaneous results. Machine learning models will be used to enable process engineers to rapidly explore complex trade spaces. Sophisticated numerical algorithms will be developed to help engineers maximize process windows. Innovations in statistical and physics-based tools will permit process engineers to build and calibrate models themselves, enabling next-generation technologies.This award reflects NSF's statutory mission and has been deemed worthy of support through evaluation using the Foundation's intellectual merit and broader impacts review criteria.
这个小企业创新研究(SBIR)第二阶段项目的更广泛的影响/商业潜力是实现下一代半导体设备制造技术。新型半导体器件的部署,如3D NAND(为闪存开发的最新器件架构),经常受到纳米制造工艺发展的阻碍。本提案的目标是建立一个配方预测平台,为半导体设备和芯片制造商创建一个独立的软件解决方案,以快速优化其流程。在本研究中,软件速度将提高,预测能力将扩展到3D结构,模型校准将自动化,以方便客户部署。通过加速器件制造过程的开发,该项目降低了半导体行业配方开发的成本,并使下一代技术得以实现。这个小企业创新研究(SBIR)二期项目将开发新的先进物理和统计模型,以快速准确地预测等离子蚀刻和沉积等过程的结果。在这项研究中,2D和3D轮廓模拟将通过算法优化速度,为工艺工程师提供即时结果。机器学习模型将用于使流程工程师能够快速探索复杂的贸易空间。将开发复杂的数值算法来帮助工程师最大限度地提高工艺窗口。基于统计和物理的工具的创新将允许流程工程师自己构建和校准模型,从而实现下一代技术。该奖项反映了美国国家科学基金会的法定使命,并通过使用基金会的知识价值和更广泛的影响审查标准进行评估,被认为值得支持。

项目成果

期刊论文数量(4)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Creating new multistep etch and deposition processes with recycled etch data using SandBox Studio AI™
使用 SandBox Studio AI™ 使用回收的蚀刻数据创建新的多步蚀刻和沉积工艺
Fast etch recipe creation with automated model-based process optimization
通过基于模型的自动化工艺优化快速创建蚀刻配方
A method for achieving sub-2nm across-wafer uniformity performance
一种实现亚 2nm 跨晶圆均匀性性能的方法
Automated, high throughput optimization of multistep and cyclic etch and deposition processes using SandBox Studio AI
使用 SandBox Studio AI 对多步骤和循环蚀刻和沉积过程进行自动化、高通量优化
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Meghali Chopra其他文献

Optimal etch recipe prediction for 3D NAND structures
3D NAND 结构的最佳蚀刻配方预测
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    0
  • 作者:
    Leandro Medina;Bryan E. Sundahl;Meghali Chopra;R. Bonnecaze
  • 通讯作者:
    R. Bonnecaze
Predicting and optimizing etch recipes for across the wafer uniformity
预测和优化蚀刻配方以实现整个晶圆的均匀性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Meghali Chopra;R. Bonnecaze;Yang H. Ban;Sofia Helpert
  • 通讯作者:
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  • DOI:
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  • 影响因子:
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    Meghali Chopra;Sofia Helpert;R. Verma;Zizhuo Zhang;Xilan Zhu;R. Bonnecaze
  • 通讯作者:
    R. Bonnecaze
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kara Kearney;Sonali N. Chopra;Xilan Zhu;Yang H. Ban;R. Bonnecaze;Meghali Chopra
  • 通讯作者:
    Meghali Chopra
A method to accelerate creation of plasma etch recipes using physics and Bayesian statistics
一种利用物理学和贝叶斯统计加速等离子蚀刻配方创建的方法
  • DOI:
    10.1117/12.2263507
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Meghali Chopra;R. Verma;Austin P. Lane;C. Willson;R. Bonnecaze
  • 通讯作者:
    R. Bonnecaze

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