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Mechanische Druckempfindlichkeit organischer Feldeffekttransistoren im Hinblick auf zukünftige taktile Sensorarrays

Mechanische Druckempfindlichkeit organischer Feldeffekttransistoren im Hinblick auf zukünftige taktile Sensorarrays
有机场效应晶体管对未来触觉传感器阵列的机械压力敏感性
批准号:
27033843
负责人:
Professor Dr.-Ing. Rainer Waser
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2007
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2006-12-31 至 2008-12-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
可伸缩传感器阵列的组织者五角大楼-费尔德菲尔德克特晶体管组织者在拉赫门和比安格顿项目的基础上,在可伸缩传感器阵列的特征中,从一个或多个角度分析了传感器阵列的性能。这是一个非常重要的传说,它是一种机械制造技术,是一种新型的机械制造技术。大足是同种的Schichten Aus Pentacen MIT物理气相沉积的再生产。这是一种不同的生活方式,不同的是,他们的生活方式不同,他们的生活方式不同。在Einem weiteren Schritt With Feldeffekt晶体管oren Aus Pentacen Realisiert and auf die def die druckabhänGigkeit ihhres elektrischen Verhalten system andch untersuht.死于斯卡利尔巴基特和祖弗莱斯西格基特之间。这是一个奇妙的错误,这是一个很好的解决方案,它可以帮助我们实现机械设备的分离和疏导。在此基础上设计了一套完整的程序模拟程序。在澳大利亚,劳姆拉顿根和他的家庭都有自己的生活方式。
英文摘要
Auf der Basis des von uns gefundenen Effektes der mechanischen Druckabhängigkeit von Kennlinien organischer Pentacen-Feldeffekttransistoren soll im Rahmen des beantragten Projektes untersucht werden, inwieweit sich solche Bauelemente als neuartige Sensoren in ¿Tractile Sensor Arrays eignen. Entscheidend für die Bewertung ist ein grundlegendes Verständnis über die mikroskopischen, physikalischen Mechanismen, die dem Effekt zugrunde liegen. Dazu werden zunächst homogene Schichten aus Pentacen mit Physical Vapor Deposition reproduzierbar hergestellt werden. Es soll insbesondere untersucht werden, welchen Einfluss verschiedene Grenzflächen auf das Schichtwachstum und die elektrischen Eigenschaften bzw. deren Druckabhängigkeit haben. In einem weiteren Schritt werden Feldeffekttransistoren aus Pentacen realisiert und auf die Druckabhängigkeit ihres elektrischen Verhaltens systematisch untersucht. Dies betrifft auch Aspekte der Skalierbarkeit und der Zuverlässigkeit. Es wird erwartet, dass sich aus der Separation der Druckabhängigkeit einer möglichen intrinsischen Leitfähigkeit von Pentacen und der Druckabhängigkeit des Drain-Stromes des Transistors grundlegende Erkenntnisse über die ablaufende Mechanismen ableiten lassen. Die gemessenen Kennlinien sollen mit dem Simulationsprogramm SPICE für integrierte Schaltkreise nachgebildet werden. Darauf aufbauend soll das Transistorverhalten durch eine physikalische Modellierung unter Berücksichtigung von Austrittsarbeiten, Raumladungen und der Diffusionsfähigkeit der Ladungsträger beschrieben werden.
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  • 批准号:
    5411221
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2003
  • 负责人:
    Professor Dr.-Ing. Rainer Waser
  • 依托单位: