Mechanische Druckempfindlichkeit organischer Feldeffekttransistoren im Hinblick auf zukünftige taktile Sensorarrays

在韦尔登传感器阵列设计中，基于五角光纤传输器的机械传动原理，引入了传感器元件作为触觉传感器阵列中的中性传感器。Entscheidend für die Bewertung ist ein grundlegendes Verständnis über die mikroskopischen，physicalischen Mechanismen，die dem Effekt zugrunde liegen.用物理汽相沉积法可以从五角大楼获得均匀的沉积物。只有在韦尔登不足的情况下，才能对电力系统和电力系统本身产生影响。他的画已经画好了。在一个weiteren Schritt韦尔登Feldeffekttransmostoren从五角大楼实现和auf该Druckabhängigkeit其elektrischen Verhaltens systematisch untersucht。这两个词也是Skalierbarkeit和Zuverlässigkeit的意思。因此，通过将Druckabhängigkeit分离出来，可以使五角大楼和晶体管漏极的Druckabhängigkeit之间的相互作用更加紧密，从而使工作机制更加有效。该gemessenen Kennlinien sollen mit dem Simulationsprogramm SPICE für integrierte Schaltkreise nachgebildet韦尔登. Darauf aufbauend soll das Transistorverhalten durch eine physikalische Modellierung unter Berücksichtigung von Austrittsarbeiten，Raumladungen und der Diffusionsfähigkeit der Ladungsträger beschrieben韦尔登.

Auf der Basis des von uns gefundenen Effektes der mechanischen Druckabhängigkeit von Kennlinien organischer Pentacen-Feldeffekttransistoren soll im Rahmen des beantragten Projektes untersucht werden, inwieweit sich solche Bauelemente als neuartige Sensoren in ¿Tractile Sensor Arrays eignen. Entscheidend für die Bewertung ist ein grundlegendes Verständnis über die mikroskopischen, physikalischen Mechanismen, die dem Effekt zugrunde liegen. Dazu werden zunächst homogene Schichten aus Pentacen mit Physical Vapor Deposition reproduzierbar hergestellt werden. Es soll insbesondere untersucht werden, welchen Einfluss verschiedene Grenzflächen auf das Schichtwachstum und die elektrischen Eigenschaften bzw. deren Druckabhängigkeit haben. In einem weiteren Schritt werden Feldeffekttransistoren aus Pentacen realisiert und auf die Druckabhängigkeit ihres elektrischen Verhaltens systematisch untersucht. Dies betrifft auch Aspekte der Skalierbarkeit und der Zuverlässigkeit. Es wird erwartet, dass sich aus der Separation der Druckabhängigkeit einer möglichen intrinsischen Leitfähigkeit von Pentacen und der Druckabhängigkeit des Drain-Stromes des Transistors grundlegende Erkenntnisse über die ablaufende Mechanismen ableiten lassen. Die gemessenen Kennlinien sollen mit dem Simulationsprogramm SPICE für integrierte Schaltkreise nachgebildet werden. Darauf aufbauend soll das Transistorverhalten durch eine physikalische Modellierung unter Berücksichtigung von Austrittsarbeiten, Raumladungen und der Diffusionsfähigkeit der Ladungsträger beschrieben werden.