Fabrication of quantum-dot-dispersed semiconductor films by the single process using mist CVD
使用雾气CVD单一工艺制造量子点分散半导体薄膜
基本信息
- 批准号:21K04154
- 负责人:
- 金额:$ 2.75万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2021
- 资助国家:日本
- 起止时间:2021-04-01 至 2024-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
発光特性の向上と新たな機能付加を目的とした新しいタイプの発光材料構造として、バンドギャップの大きな半導体(バリア層)中にバンドギャップの小さいナノ粒子を分散させたナノ粒子分散半導体薄膜を提案し、ミスト化学気相法をベースとした単一プロセスにより作製することを目的とした研究である。今年度得られた成果を以下にまとめる。(1)昨年度の研究において課題であった基板面内での膜厚および組成の不均一性を解決するために、新たにファインチャネル型のリアクターを設計・導入した。これを用いることにより、ZnO系、Ga2O3系薄膜共に、膜厚の均一性が大幅に改善させることができた。また、ミストによるナノ粒子輸送についても問題ないことを確認した。(2)上述の新リアクターを用いたGa2O3薄膜の成長では、基板温度の上昇に従い結晶相がα→β→ε相の順に明確に変化した。Ga2O3系バリア層にZnOナノ粒子を分散させる場合には、バリア層の結晶相としては対称性の類似性からα相が適しているが、この結果から、α相が安定に形成される基板温度を450℃に決定できた。(3)作製したナノ粒子分散 (Zn,Mg)O薄膜を窒素雰囲気中でアニールし、その効果を調べた。実験を行った範囲においては、高温かつ高いMg原料濃度で成長させた試料において、アニールによるZnOナノ粒子からの発光増大が確認された。これは、薄膜中およびナノ粒子の内部や周囲の欠陥が取り除かれためと考えられ,アニールの有効性が示された。
A study on the structure of light-emitting materials and the application of new functions to improve light-emitting properties in particle-dispersed semiconductor thin films. This year's results are as follows: (1)In the past year, the research topic was to solve the problem of film thickness and composition unevenness in the substrate surface. The thickness uniformity of ZnO and Ga2O3 thin films is greatly improved. The problem of particle transport was identified. (2)The growth of the Ga2O3 thin film is due to the increase of the substrate temperature, and the crystal phase is changed from α to β to ε. Ga2O3-based amorphous layer ZnO particles dispersed in the substrate temperature of 450℃, the crystalline phase of the amorphous layer is symmetric, the α phase is stable, and the α phase is stable. (3)For the preparation of (Zn,Mg)O thin films with dispersed particles, the effect of the dispersion is adjusted. The increase in luminescence of ZnO particles was confirmed by the increase in temperature, high Mg raw material concentration and growth of the sample. In this way, the film can be divided into two parts: the inner part of the film and the inner part of the film.
项目成果
期刊论文数量(4)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
ミストCVD法により作製したナノ粒子分散(Zn,Mg)O薄膜へのアニールの効果
退火对雾气CVD法制备纳米粒子分散(Zn,Mg)O薄膜的影响
- DOI:
- 发表时间:2023
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:田中京輔;奈良俊宏;矢ヶ崎司;伊藤里樹;光野徹也;小南裕子;原和彦
- 通讯作者:原和彦
ミストCVDによるZnOナノ粒子分散ZnMgO薄膜の作製
雾气CVD法制备ZnO纳米粒子分散的ZnMgO薄膜
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:奈良 俊宏;小野田 翔悟;矢ヶ崎 司;田中 京輔;光野 徹也;小南 裕子;原 和彦
- 通讯作者:原 和彦
ミスト CVD による ZnO ナノ粒子分散(Ga,Al)2O3 薄膜の作製
雾气CVD法制备ZnO纳米颗粒分散(Ga,Al)2O3薄膜
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:矢ケ崎 司;奈良 俊宏,田中 京輔;伊藤 里樹;光野 徹也;小南 裕子;原 和彦
- 通讯作者:原 和彦
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
原 和彦其他文献
KrFエキシマレーザによるSrGa2S4:Eu薄膜蛍光体の結晶化に対するパルス幅効果
KrF准分子激光脉冲宽度对SrGa2S4:Eu薄膜荧光粉结晶的影响
- DOI:
- 发表时间:
2008 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
清野俊明;新井裕子;海老沢 孝小南裕子;原 和彦;中西洋一郎 - 通讯作者:
中西洋一郎
GaNの二段階気相合成法における種粒子形成温度の粒子成長への影響
两步气相合成 GaN 中种子颗粒形成温度对颗粒生长的影响
- DOI:
- 发表时间:
2008 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
菰田浩寛;森 達宏;小南裕子;中西洋一郎;原 和彦 - 通讯作者:
原 和彦
円偏光散乱法による新規がん評価技術の開発―早期がん深達度計測とスキルス胃がん検出―
利用圆偏振光散射法开发新的癌症评估技术 - 早期癌症浸润深度测量和硬质胃癌检测 -
- DOI:
- 发表时间:
2023 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
西沢 望;口丸高弘;島田周;田中真二;原 和彦 - 通讯作者:
原 和彦
運動様式の違いが感覚運動野領域のβ帯域脳律動に及ぼす影響
运动方式差异对感觉运动皮层区β带脑节律的影响
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
喜多 俊介;原 和彦;鈴木 康雄;松本 優佳;藤野 努;村田 健児;小栢 進也;菅原和広,齊藤秀和,赤岩眞悠,佐々木健史,臼井桂子,松橋眞生,白石秀明,長峯 隆 - 通讯作者:
菅原和広,齊藤秀和,赤岩眞悠,佐々木健史,臼井桂子,松橋眞生,白石秀明,長峯 隆
原 和彦的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('原 和彦', 18)}}的其他基金
ZnHgSSe系半導体のエピタキシャル成長と可視短波長レーザへの応用
ZnHgSSe基半导体的外延生长及其在可见短波长激光器中的应用
- 批准号:
07650007 - 财政年份:1995
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
可視短波長レーザ用新材料(Zn,Hg)(S,Se)のエピタキシャル成長と評価
可见短波长激光器新材料(Zn、Hg)(S、Se)的外延生长和评估
- 批准号:
06750011 - 财政年份:1994
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
硫化亜鉛薄膜中のツリウムイオンの発光およびエネルギー伝達過程の解明
阐明硫化锌薄膜中铥离子的发光和能量转移过程
- 批准号:
05750036 - 财政年份:1993
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
希土類元素を原子層ドーピングした硫化亜鉛のMOMBE成長
稀土元素原子层掺杂MOMBE生长硫化锌
- 批准号:
03750010 - 财政年份:1991
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
カルコパイライト型化合物半導体の有機金属気相成長に関する研究
黄铜矿型化合物半导体有机金属气相生长研究
- 批准号:
63790271 - 财政年份:1988
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
相似海外基金
ピエゾ分極によるポテンシャル変調が酸化亜鉛ドーピング特性に与える効果
压电极化电位调制对氧化锌掺杂性能的影响
- 批准号:
24K07579 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
高品質酸化亜鉛微細構造における新奇量子電子物性解明
阐明高质量氧化锌精细结构中的新型量子电子特性
- 批准号:
23K26482 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
高圧巨大ひずみ加工による光触媒性酸化亜鉛(ZnO)の高性能化
通过高压大应变处理提高光催化氧化锌(ZnO)的性能
- 批准号:
23K04374 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
高品質酸化亜鉛微細構造における新奇量子電子物性解明
阐明高质量氧化锌精细结构中的新型量子电子特性
- 批准号:
23H01789 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
量子ビームおよび不安定核を利用した酸化亜鉛中不純物ドナーの状態解析と電気特性制御
使用量子束和不稳定核对氧化锌中杂质施主进行状态分析和电学性质控制
- 批准号:
22K12661 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
ナノ金/酸化亜鉛装飾ポリアニリンを用いた自己給電型ガスセンサの安定性と選択性向上
纳米金/氧化锌修饰聚苯胺提高自供电气体传感器的稳定性和选择性
- 批准号:
19F19048 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
有機アミン/酸化亜鉛ナノコンポジットの合成と有機太陽電池への応用
有机胺/氧化锌纳米复合材料的合成及其在有机太阳能电池中的应用
- 批准号:
16K04929 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
革新的半導体プロセス:大気圧非平衡プラズマを用いた酸化亜鉛発光素子の開発
创新半导体工艺:利用大气压非平衡等离子体开发氧化锌发光器件
- 批准号:
14J11730 - 财政年份:2014
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
低温形成ナノ結晶酸化亜鉛を用いた直接描画半導体線状構造体の作製方法に関する研究
低温成型纳米晶氧化锌直写半导体线性结构制备方法研究
- 批准号:
26918009 - 财政年份:2014
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
レーザープロセスによる酸化亜鉛ナノワイヤの光電特性制御法の開発
开发利用激光工艺控制氧化锌纳米线光电性能的方法
- 批准号:
14J04675 - 财政年份:2014
- 资助金额:
$ 2.75万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows