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Elektronische Eigenschaften von Grenzflächen für die organische Spintronik

Elektronische Eigenschaften von Grenzflächen für die organische Spintronik
有机自旋电子学界面的电子特性
批准号:
29692203
负责人:
Professor Dr. Martin Knupfer
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2006
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2005-12-31 至 2009-12-31

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项目成果

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Dieses Vorhaben hat das Ziel, eine erste, umfassende experimentelle Charakterisierung von Grenzflächen zwischen organischen Halbleitern und Metallen mit hoher Spinpolarisation der Ladungsträger durchzuführen. Dies geschieht im Hinblick auf den Einsatz organischer Halbleiter in organischen Spintronik-Bauelementen. In jüngster Zeit wurde gezeigt, dass mit organischen Halbleitern solche Bauelemente prinzipiell möglich sind, wobei über die elektronischen Eigenschaften der Grenzflächen in den verschiedenen Bauelementen kaum etwas bekannt ist, obwohl diese die Funktion eines jeden Bauelements entscheidend beeinflussen. Dieses Vorhaben umfasst daher die Bestimmung der wesentlichen Grenzflächenparameter einiger Modellsysteme wie Grenzflächendipole, Injektionsbarrieren für den Stromtransport, Spinpolarisation der Ladungsträger direkt an den Grenzflächen und chemische Reaktionen sowie deren Zusammenspiel, und es werden zwei komplementäre Methoden, die Photoelektronenspektroskopie und die Röntgenabsorptionsspektroskopie eingesetzt. So wird eine Grundlage für das physikalische Verständnis solcher Grenzflächen geliefert.
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