Atomare Struktur und elektronische Eigenschaften von GaSb-Nanostrukturen

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GaSb-Nanostrukturen in einer GaAs-Matrix sind durch eine Typ-II-Bandanpassung gekennzeichnet, mit einer starken Bindung der Löcher innerhalb des GaSb, aber keiner Bindung der Elektronen. Diese interessante elektronische Struktur führt einerseits zu geringen optischen Übergangsenergien, andererseits zu langen Lebensdauern der Ladungsträger. In diesem Vorhaben sollen die atomare Struktur und die lokalen elektronischen Eigenschaften von GaSb-Quantenpunkten und dünnen GaSb-Schichten mit Rastertunnelmikroskopie an Querschnittsflächen (XSTM) untersucht werden. Ziel ist die Bestimmung der Form, Größe und lokalen Stöchiometrie der Nanostrukturen und ihr Einfluss auf die elektronische Struktur. Eine genaue Kenntnis der strukturellen Eigenschaften führt zudem zu einem verbesserten Verständnis der Wachstumsprozesse und erlaubt die gezielte Herstellung von GaSb-Nanostrukturen mit bestimmten physikalischen Eigenschaften.