Atomare Struktur und elektronische Eigenschaften von GaSb-Nanostrukturen

GaSb纳米结构的原子结构和电子性质

• 批准号: 38273339
• 负责人: Professor Dr. Mario Dähne
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Festkörperphysik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2006-12-31 至 2010-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/38273339?language=en
• 关键词: Atomare; Struktur; und; elektronische; Eigenschaften

GaSb-Nanostrukturen in einer GaAs-Matrix sind durch eine Typ-II-Bandanpassung gekennzeichnet, mit einer starken Bindung der Löcher innerhalb des GaSb, aber keiner Bindung der Elektronen. Diese interessante elektronische Struktur führt einerseits zu geringen optischen Übergangsenergien, andererseits zu langen Lebensdauern der Ladungsträger. In diesem Vorhaben sollen die atomare Struktur und die lokalen elektronischen Eigenschaften von GaSb-Quantenpunkten und dünnen GaSb-Schichten mit Rastertunnelmikroskopie an Querschnittsflächen (XSTM) untersucht werden. Ziel ist die Bestimmung der Form, Größe und lokalen Stöchiometrie der Nanostrukturen und ihr Einfluss auf die elektronische Struktur. Eine genaue Kenntnis der strukturellen Eigenschaften führt zudem zu einem verbesserten Verständnis der Wachstumsprozesse und erlaubt die gezielte Herstellung von GaSb-Nanostrukturen mit bestimmten physikalischen Eigenschaften.

GaSb-Nanostructuren in einer GaAs-Matrix sind dch eine eine Typ-II-Bandanpassung gekennzeichnet，MIT einer Starken Bindung der Löcher innerhalb des GaSb，aber Keiner Bindung der Elektronen.这是一项非常重要的工作，也是最重要的工作。在Vorhaben Sollen die tom are StrukTurn and die lokalen Electrktronischen Eigenschaften von GASB-Quantpenkten and dünnen GaSb-Schichten MIT RasterTunelmikroskopie an Querschnittsflächen(XSTM)中，我们被证明是正确的。这是一种最好的形式，在纳米结构和电气结构的基础上形成了一个新的结构。从结构上看，这是一种技术上的进步，从根本上来说，这是一种错误的行为。

项目成果

Critical thickness of the 2-dimensional to 3-dimensional transition in GaSb/GaAs(001) quantum dot growth

GaSb/GaAs(001)量子点生长中二维到三维转变的临界厚度

• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2011.10.037
• 发表时间: 2012
• 期刊: Journal of Crystal Growth
• 影响因子: 1.8
• 作者: H. Eisele;M. Dähne
• 通讯作者: M. Dähne

Formation, atomic structure, and electronic properties of GaSb quantum dots in GaAs

GaAs 中 GaSb 量子点的形成、原子结构和电子特性

• DOI: 10.14279/depositonce-1740
• 发表时间: 2008
• 作者: Rainer Timm