Elektronische Eigenschaften von anionen-substituiertem ZnO

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Im Projekt soll die Mischverbindung ZnOxS1-x hinsichtlich ihrer strukturellen, elektronischen und optischen Eigenschaften untersucht werden sowie die Dotierbarkeit bei einer weiteren, gleichzeitigen anionischen Substitution durch Stickstoff. Die Präparation der Schichten erfolgt mittels Radiofrequenz- und Mittelfrequenz-Sputtern sowie durch Gasphasendeposition (CVD). Die Kristallstruktur und die Gitterparameter sollen mit Röntgendiffraktometrie (J-2J, Rocking), die Änderungen in den elektronischen Eigenschaften (Bandstruktur) mittels Photoelektronspektroskopie (XPS, UPS) sowie Lumineszenz und Reflexion bestimmt werden. Elektrische (Hall) Meßverfahren und magnetische Resonanz-Methoden (EPR, ENDOR) werden zur qualitativen und quantitativen Störstellenanalyse eingesetzt. In Zusammenarbeit mit den Projekten der Arbeitsgruppen von Professor Janek (PC, Gießen) und Professor Binnewies (AC, Hannover) steht damit ein breites Spektrum der Herstellungs- und Substitutionsmethoden für auf ZnO basierende Materialien zur Verfügung. Die Expertisen der jeweiligen Arbeitsgruppen sollen für das Projekt ergänzend eingesetzt werden.