Charakterisierung und Optimierung von Kontakten in OFETs: Spektroskopie und elektrische Bauelementefunktion

OFET 中接触的表征和优化:光谱学和电气器件功能

基本信息

项目摘要

Die Leistungsfähigkeit organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET) als Basisbauelement der sich entwickelnden Polymerelektronik wird entscheidend bestimmt durch die Source/Drain Kontakte. Ziel des Projekts ist eine Aufklärung häufig auftretender Probleme bei der Ladungsträgerinjektion und die damit erreichbare Optimierung der Kontakte. Hierbei wird ein neuer Weg beschritten, indem zwei (auch international) bislang getrennt tätige Arbeitsrichtungen zusammengeführt werden: die in Ilmenau erfolgende Präparation, elektrische Charakterisierung (inklusive optischer und weiterer Messungen) mit Analyse der Messdaten durch numerische 2D-Simulationen mit den in Dresden erfolgenden Elektronenspektroskopischen Untersuchungen von Grenzflächen zwischen Metallen und organischen Schichten. Durch erstmalige Verwendung derselben Materialien und durch Austausch der von beiden Seiten präparierten Proben und Ergebnisse sollen Ursachen für die ungenügenden Kontakteigenschaften und daraus resultierende gemessene Besonderheiten in den Kennlinien aufgeklärt werden. Bei Variation der Materialkombinationen, Technologievariationen, wie Variation der Schichtpräparationen, Vorbehandlung von Metalloberflächen werden durch Kombination der Informationen aus den elektrischen und den spektroskopischen Untersuchungen Optimierungen der verschiedenen Kontaktsysteme angestrebt. Neben OFETs mit top- und bottom Kontakten werden auch OLEDs in die Arbeiten einbezogen.
作为这种新型聚合物电子器件的基础元件,高性能的光纤晶体管(OFET)将通过源/漏连接得到估计。Ziel des Projekts ist eine Aufklärung häufig aufretender Probleme bei der Ladungsträgerinjektion und die damit erreichbare Optimierung der Kontakte.这是一条新的道路,也是国际上的第二条道路:在伊尔梅瑙进行准备,通过在德累斯顿进行的金属和有机物颗粒的电子光谱分析,通过数值2D模拟进行电子特性分析。Denserstmalige Verwendung derselben Materialien und durch Austausch der von beiden Seiten präparierten Proben und Ergebnisse sollen Ursachen für die ungenügenden Kontakteigenschaften und daraus resultierende gemessene Besonderheiten in den Kennlinien aufgeklärt韦尔登.由于材料组合、工艺变化,如工艺变化,可通过电气和光谱信息的组合优化实现对金属韦尔登的预处理。Neben OFET带有顶部和底部Kontakten也可以在工作中使用OLED。

项目成果

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Contact characterization by photoemission and device performance in P3HT based organic transistors
  • DOI:
    10.1063/1.3693541
  • 发表时间:
    2012-03
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.2
  • 作者:
    S. Scheinert;M. Grobosch;G. Paasch;I. Hörselmann;M. Knupfer;J. Bartsch
  • 通讯作者:
    S. Scheinert;M. Grobosch;G. Paasch;I. Hörselmann;M. Knupfer;J. Bartsch
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