Charakterisierung und Optimierung von Kontakten in OFETs: Spektroskopie und elektrische Bauelementefunktion

OFET 中接触的表征和优化:光谱学和电气器件功能

基本信息

项目摘要

Die Leistungsfähigkeit organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET) als Basisbauelement der sich entwickelnden Polymerelektronik wird entscheidend bestimmt durch die Source/Drain Kontakte. Ziel des Projekts ist eine Aufklärung häufig auftretender Probleme bei der Ladungsträgerinjektion und die damit erreichbare Optimierung der Kontakte. Hierbei wird ein neuer Weg beschritten, indem zwei (auch international) bislang getrennt tätige Arbeitsrichtungen zusammengeführt werden: die in Ilmenau erfolgende Präparation, elektrische Charakterisierung (inklusive optischer und weiterer Messungen) mit Analyse der Messdaten durch numerische 2D-Simulationen mit den in Dresden erfolgenden Elektronenspektroskopischen Untersuchungen von Grenzflächen zwischen Metallen und organischen Schichten. Durch erstmalige Verwendung derselben Materialien und durch Austausch der von beiden Seiten präparierten Proben und Ergebnisse sollen Ursachen für die ungenügenden Kontakteigenschaften und daraus resultierende gemessene Besonderheiten in den Kennlinien aufgeklärt werden. Bei Variation der Materialkombinationen, Technologievariationen, wie Variation der Schichtpräparationen, Vorbehandlung von Metalloberflächen werden durch Kombination der Informationen aus den elektrischen und den spektroskopischen Untersuchungen Optimierungen der verschiedenen Kontaktsysteme angestrebt. Neben OFETs mit top- und bottom Kontakten werden auch OLEDs in die Arbeiten einbezogen.
场效应晶体管 (OFET) 的工作原理是作为源极/漏极连接中的聚合物电子的基础元件。该项目是解决 Ladungsträgerinjektion 和 die erreichbare Optimierung der Kontakte 问题的一个解决方案。 Hierbei wird ein neuer Weg beschritten, indem zwei (auch International) bislang getrennt tätige Arbeitsrichtungen zusammengeführt werden: die in Ilmenau erfolgende Präparation, elektrische Charakterisierung (inklusive optischer und weiterer Messungen) mit Analysis der Messdaten杜尔奇 数字 2D 模拟位于德累斯顿 erfolgenden Elektronenspektroskopischen Untersuchungen von Grenzflächen zwischen Metallen und Organischen Schichten。材料的使用和准备过程中的测试和应用将在我们的研究中实现。材料组合的变化、技术变化、结构准备的变化、金属层的变化都通过电气和特殊技术的信息组合来实现,并优化了控制系统的设计。 Neben OFET 在模具中与 OLED 顶部和底部连接。

项目成果

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Contact characterization by photoemission and device performance in P3HT based organic transistors
  • DOI:
    10.1063/1.3693541
  • 发表时间:
    2012-03
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.2
  • 作者:
    S. Scheinert;M. Grobosch;G. Paasch;I. Hörselmann;M. Knupfer;J. Bartsch
  • 通讯作者:
    S. Scheinert;M. Grobosch;G. Paasch;I. Hörselmann;M. Knupfer;J. Bartsch
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