低分子量Rap2B GTPaseによる新規エンドサイトーシス制御機構

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これまでの機能解析からRap2BはFcγレセプター介在性ファゴサイトーシス経路において、ファゴゾームの形成に関与することが示唆されている。新生ファゴゾームの近傍で形成されるRap2B陽性エンドサイトーシス小胞の特性を明らかにするためには、細胞内でのRap2Bの活性化状態を知ることが極めて重要であると思われる。そこで本年度は、適切なRap2Bの活性化トレーサーの選定、並びにファゴサイトーシス・局所性エンドサイトーシス小胞上でのRap2Bの活性化状態の検討を行った。Rap2BのGTP結合型に結合するRalGDSを用いて、Rap2BのGTP結合型（TagRFP- Rap2B-G12V）或いは、Rap2BのGDP結合型(TagRFP- Rap2B-S17N)とGFP-RalGDSの細胞内局在を比較検討したところ、RalGDSは主に細胞内の小胞において、Rap2B-G12Vによる発現量依存的な共局在を示した。このことから、RalGDSは活性化型Rap2Bの局在を知る上で、有用なトレーサーであることがわかった。次に、Fcγレセプター介在性ファゴサイトーシス経路でのRalGDSの細胞内局在について調べた。蛍光ライブセル観察を行ったところ、RalGDSはPlasma Membrane（PM）には少なく、形成された細胞内ファゴゾームとファゴゾームの近傍で形成される新生エンドサイトーシス小胞に時間の経過と共に集積することが明らかとなった。Rap2BのGDP結合型が貪食を抑制することを踏まえると、Rap2Bの活性化はファゴゾームの形成を促進し、さらに、細胞内ファゴゾーム・局所性エンドサイトーシス小胞の成熟でも機能する可能性が考えられる。