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Study of slow trap characteristics and reduction methods of its density in Ge MOS interfaces for future devices.
未来器件Ge MOS界面慢陷阱特性及其密度降低方法研究。
基本信息
- 批准号：20K14779
- 负责人：
- 金额：$ 2.66万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份：2020
- 资助国家：日本
- 起止时间：2020-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（1）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
C-V測定によるAl2O3/GeOx/p-Ge MOS界面の電子とホールの遅い準位密度の評価
通过 C-V 测量评估 Al2O3/GeOx/p-Ge MOS 界面电子和空穴的慢能级密度
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：柯夢南;竹中充;高木信一
- 通讯作者：高木信一
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Ke Mengnan其他文献
EarthCARE Science Status (2)
EarthCARE 科学状况 (2)
- DOI：
- 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
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通过 PPN-PPO 工艺降低 Al2O3/GeO x N y /n-Ge MOS 界面中的慢陷阱密度
- DOI：
10.1109/ted.2019.2948074 - 发表时间：
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- 影响因子：3.1
- 作者：
Ke Mengnan;Takenaka Mitsuru;Takagi Shinichi - 通讯作者：
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TiN/Y2O3/Si0.62Ge0.38栅叠层高温金属化后退火的金属氧化物半导体界面特性
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10.1063/1.5144198 - 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：3.2
- 作者：
Lee Tsung-En;Ke Mengnan;Kato Kimihiko;Takenaka Mitsuru;Takagi Shinichi - 通讯作者：
Takagi Shinichi
Slow Trap Properties and Generation in Al2O3/GeOx/Ge MOS Interfaces Formed by Plasma Oxidation Process
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- DOI：
10.1021/acsaelm.8b00071 - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：4.7
- 作者：
Ke Mengnan;Takenaka Mitsuru;Takagi Shinichi - 通讯作者：
Takagi Shinichi
都市部の保育施設周辺における音環境に関する意識調査
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- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
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平井陽大，吉富佑樹，片岡寛子，高田正幸
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