Study of slow trap characteristics and reduction methods of its density in Ge MOS interfaces for future devices.
未来器件Ge MOS界面慢陷阱特性及其密度降低方法研究。
基本信息
- 批准号:20K14779
- 负责人:
- 金额:$ 2.66万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份:2020
- 资助国家:日本
- 起止时间:2020-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(1)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
C-V測定によるAl2O3/GeOx/p-Ge MOS界面の電子とホールの遅い準位密度の評価
通过 C-V 测量评估 Al2O3/GeOx/p-Ge MOS 界面电子和空穴的慢能级密度
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:柯夢南;竹中充;高木信一
- 通讯作者:高木信一
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- 作者:
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- 发表时间:
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