Study of slow trap characteristics and reduction methods of its density in Ge MOS interfaces for future devices.
Study of slow trap characteristics and reduction methods of its density in Ge MOS interfaces for future devices.
未来器件Ge MOS界面慢陷阱特性及其密度降低方法研究。
批准号：
20K14779
负责人：
Ke Mengnan
金额：
$2.66万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
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会议论文
C-V測定によるAl2O3/GeOx/p-Ge MOS界面の電子とホールの遅い準位密度の評価
通过 C-V 测量评估 Al2O3/GeOx/p-Ge MOS 界面电子和空穴的慢能级密度
通过 C-V 测量评估 Al2O3/GeOx/p-Ge MOS 界面电子和空穴的慢能级密度
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[柯夢南, 竹中充, 高木信一]
通讯作者：
高木信一
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