バンドフォールディングを利用した高効率硫化物基緑色発光ダイオードの開発
利用能带折叠开发高效硫化物基绿色发光二极管
基本信息
- 批准号:20K15170
- 负责人:
- 金额:$ 2.66万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份:2020
- 资助国家:日本
- 起止时间:2020-04-01 至 2024-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究課題では、III-V族半導体をベースとした発光ダイオードが抱えるグリーンギャップ問題(緑色波長領域において発光量子効率が激減する課題)の抜本的解決を目指し、非結合性軌道とバンドフォールディングに着目した独自の化学的材料設計指針に基づき見いだされたペロブスカイト型硫化物半導体SrHfS3のエピタキシャル薄膜を用いたpnホモ接合を作製することで、SrHfS3の緑色発光ダイオード特性を評価することを目的としている。本研究では、高品質なSrHfS3多結晶焼結体をターゲットとしたパルスレーザー堆積法を用いることで、二次的なアニール処理による表面汚染を避け、清浄かつ平坦表面が実現出来るin-situでのSrHfS3薄膜の作製を行った。薄膜作製時の製膜雰囲気を制御することでそのエピタキシャル薄膜を高品質化し、得られた薄膜試料の光物性を評価した。
The subject of this research is the issue of light emission of III-V semiconductors (green wavelength range) The problem of sudden reduction of photon quantum efficiency) and the problem of non-associative orbital problems are solved. Original chemical material design pointer, Hiroki Hiroki, is a sulfide-type sulfide semiconductor SrHfS3 thin filmをUsing いたpnホモjoint production することで, SrHfS3のgreen 発光ダイオードcharacteristicsをreview価することをpurpose としている. In this study, high-quality NaSrHfS3 polycrystalline pyrolysis composites were produced using a secondary Nasa deposition method. The ニール treatment can avoid contamination on the surface, and the clean and flat surface can appear in-situ and the SrHfS3 film can be produced in a row. When making the film, the film production environment was high, and the photophysical properties of the film sample were evaluated.
项目成果
期刊论文数量(1)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
半沢 幸太其他文献
1111型鉄系超伝導体エピタキシャル薄膜への高濃度水素添加と48 Kの高温超伝導
1111型铁基超导外延薄膜高浓度氢加成及48 K高温超导
- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
松本 惇平;半沢 幸太;笹瀬 雅人;Silvia Haindl;片瀬 貴義;平松 秀典;細野 秀雄 - 通讯作者:
細野 秀雄
半沢 幸太的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('半沢 幸太', 18)}}的其他基金
トポタクティック反応を用いた水素ドープ1111型鉄系超伝導体薄膜の電子状態解析
利用拓扑反应分析氢掺杂1111型铁基超导薄膜的电子结构
- 批准号:
22K14601 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
電気二重層トランジスタ構造を用いた新規鉄系超伝導体の探索
利用双电层晶体管结构寻找新型铁基超导体
- 批准号:
17J10139 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
相似海外基金
ワイドギャップシリコン新材料:シリコン同素体Si46はエピタキシャル成長するか?
新型宽禁带硅材料:硅同素异形体Si46可以外延生长吗?
- 批准号:
24K07584 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Si基板上GaAs系ナノワイヤの大容量分子線エピタキシャル成長と光電変換応用
Si衬底上大容量GaAs纳米线分子束外延生长及光电转换应用
- 批准号:
24KJ0323 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
リチウム金属の電気化学エピタキシャル成長
锂金属的电化学外延生长
- 批准号:
23K23451 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
六方晶および閃亜鉛鉱構造窒化ホウ素の高温気相エピタキシャル成長と導電性制御
六方和闪锌矿结构氮化硼的高温气相外延生长及电导率控制
- 批准号:
23K22786 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
有機単結晶表面を用いた有機ー有機エピタキシャル成長の初期過程解明と電子状態理解
阐明使用有机单晶表面的有机-有机外延生长的初始过程和电子态
- 批准号:
23K13807 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
六方晶および閃亜鉛鉱構造窒化ホウ素の高温気相エピタキシャル成長と導電性制御
六方和闪锌矿结构氮化硼的高温气相外延生长及电导率控制
- 批准号:
22H01516 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
エピタキシャル成長を利用した高活性光触媒・光電極材料の開発
利用外延生长开发高活性光催化剂和光电极材料
- 批准号:
15J11523 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高スピン偏極強磁性窒化物のエピタキシャル成長とスピントロニクスデバイスの作製
高自旋极化铁磁氮化物的外延生长及自旋电子器件的制备
- 批准号:
12J02075 - 财政年份:2012
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
エピタキシャル成長した3層構造シアノ錯体の機能性発現
外延生长的三层氰基络合物的功能表达
- 批准号:
11J00249 - 财政年份:2011
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高品質シリサイド半導体のエピタキシャル成長とバンドエンジニアリングの検証
高质量硅化物半导体的外延生长和能带工程验证
- 批准号:
10J00775 - 财政年份:2010
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows














{{item.name}}会员




