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バンドフォールディングを利用した高効率硫化物基緑色発光ダイオードの開発

バンドフォールディングを利用した高効率硫化物基緑色発光ダイオードの開発
利用能带折叠开发高效硫化物基绿色发光二极管
批准号：
20K15170
负责人：
半沢 幸太
金额：
$2.66万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2024-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20K15170/
关键词：
半導体エピタキシャル成長光電子物性カルコゲナイドペロブスカイト薄膜発光

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本研究課題では、III-V族半導体をベースとした発光ダイオードが抱えるグリーンギャップ問題（緑色波長領域において発光量子効率が激減する課題）の抜本的解決を目指し、非結合性軌道とバンドフォールディングに着目した独自の化学的材料設計指針に基づき見いだされたペロブスカイト型硫化物半導体SrHfS3のエピタキシャル薄膜を用いたpnホモ接合を作製することで、SrHfS3の緑色発光ダイオード特性を評価することを目的としている。本研究では、高品質なSrHfS3多結晶焼結体をターゲットとしたパルスレーザー堆積法を用いることで、二次的なアニール処理による表面汚染を避け、清浄かつ平坦表面が実現出来るin-situでのSrHfS3薄膜の作製を行った。薄膜作製時の製膜雰囲気を制御することでそのエピタキシャル薄膜を高品質化し、得られた薄膜試料の光物性を評価した。
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会议论文
トポタクティック反応を用いた水素ドープ1111型鉄系超伝導体薄膜の電子状態解析
  • 批准号：
    22K14601
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 资助金额：
    $2.91万
  • 财政年份：
    2022
  • 负责人：
    半沢 幸太
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
電気二重層トランジスタ構造を用いた新規鉄系超伝導体の探索
  • 批准号：
    17J10139
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.34万
  • 财政年份：
    2017
  • 负责人：
    半沢 幸太
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
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