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トポタクティック反応を用いた水素ドープ1111型鉄系超伝導体薄膜の電子状態解析

トポタクティック反応を用いた水素ドープ1111型鉄系超伝導体薄膜の電子状態解析
利用拓扑反应分析氢掺杂1111型铁基超导薄膜的电子结构
批准号：
22K14601
负责人：
半沢 幸太
金额：
$2.91万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2022
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2022-04-01 至 2024-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-22K14601/
关键词：
鉄系超伝導体エピタキシャル成長トポタクッティック反応強磁場水素エピタキシャル薄膜電子構造

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鉄系超伝導体で最高の超伝導臨界温度（Tc）を発現するLnFeAsO（Ln = 希土類金属）は、水素をドーパントとすることで特異な超伝導相図を示す。その特異な超伝導発現機構を明らかにすべく、単結晶合成が世界中で試みられ、近年はじめて合成に成功した。しかし、その結晶サイズは極めて小さく、水素濃度も不十分であったため、未だに角度分解光電子分光などの超伝導発現メカニズムに迫る研究には至っていない。そこで、大型単結晶と同等と見なせるエピタキシャル薄膜に着目し、トポタクティック反応を利用した水素ドーピング手法を新たに開発することで高濃度水素ドープLnFeAsO（Ln = Sm）の作製に世界で初めて成功した。本研究課題では、その水素ドープSmFeAsOの強磁場下における電子輸送特性を測定することで、超伝導応用に向けた最も重要な超伝導特性の1つである上部臨界磁場の実験的な決定と超伝導発現メカニズムの解明を試みた。
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バンドフォールディングを利用した高効率硫化物基緑色発光ダイオードの開発
  • 批准号：
    20K15170
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 资助金额：
    $2.66万
  • 财政年份：
    2020
  • 负责人：
    半沢 幸太
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
電気二重層トランジスタ構造を用いた新規鉄系超伝導体の探索
  • 批准号：
    17J10139
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.34万
  • 财政年份：
    2017
  • 负责人：
    半沢 幸太
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
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