マイクロ波とラジオ波を用いたスピン化学の手法による選択的同位体濃縮

（１）芳香族カルボニル化合物の光誘起電子移動反応に対して，磁場下でのAWG-RF照射効果を過渡吸収で調べた。その結果，散逸ラジカルの収量がRF照射によって減少することを見つけた。このことは，AWG-RF照射によって，散逸生成物中の炭素12同位体（12C）の量を減らせることを意味し，AWG-RF照射によって磁気同位体濃縮が可能であることを初めて実証したと言える。（２）ベンゾフェノンやキサントンなどのいくつかの芳香族カルボニル化合物の光反応について，生成物の実用的で高効率な分離方法を確立した。高精度の同位体比測定には，サンプル量は少なくても純度が高い（99.99％）必要がある。その為には，高効率な分離方法の確立は不可欠である。（３）検出器を複数もつ磁場型（セクター型）の同位体比測定質量分析装置（東大・駒場）を用いて，標準サンプル（ベンゾフェノン）中の12Cと13Cの同位体比を種々の条件で測定し，その変化量が±0.2 ‰程度までの微小変化を高精度に測定するための測定条件を見出した。（４）特異なナノ反応場を用いた反応ダイナミクスの制御を検討した。具体的には，Brij35ミセルに加えて，SDSミセル，イオン液体，およびメソポーラスシリカMCM-41のナノ細孔などの反応場を利用した反応系に対して，AWG-RF照射の効果を調べる前段階の実験として，磁場効果を検討した。同位体の濃縮および生成物の分離には反応場が強く影響する。例えば，スピン緩和を起こす前に反応させる為には，強いケージ効果が必要であり，逆に反応場から生成物を分離する為にはケージ効果を弱いほうが良い。そこで，見かけは均一であるが，反応時間においては強いケージとして働く反応場を見つける必要がある。

（１）芳香族カルボニル化合物の光誘起電子移動反応に対して，磁場下でのAWG-RF照射効果を過渡吸収で調べた。その結果，散逸ラジカルの収量がRF照射によって減少することを見つけた。このことは，AWG-RF照射によって，散逸生成物中の炭素12同位体（12C）の量を減らせることを意味し，AWG-RF照射によって磁気同位体濃縮が可能であることを初めて実証したと言える。（２）ベンゾフェノンやキサントンなどのいくつかの芳香族カルボニル化合物の光反応について，生成物の実用的で高効率な分離方法を確立した。高精度の同位体比測定には，サンプル量は少なくても純度が高い（99.99％）必要がある。その為には，高効率な分離方法の確立は不可欠である。（３）検出器を複数もつ磁場型（セクター型）の同位体比測定質量分析装置（東大・駒場）を用いて，標準サンプル（ベンゾフェノン）中の12Cと13Cの同位体比を種々の条件で測定し，その変化量が±0.2 ‰程度までの微小変化を高精度に測定するための測定条件を見出した。（４）特異なナノ反応場を用いた反応ダイナミクスの制御を検討した。具体的には，Brij35ミセルに加えて，SDSミセル，イオン液体，およびメソポーラスシリカMCM-41のナノ細孔などの反応場を利用した反応系に対して，AWG-RF照射の効果を調べる前段階の実験として，磁場効果を検討した。同位体の濃縮および生成物の分離には反応場が強く影響する。例えば，スピン緩和を起こす前に反応させる為には，強いケージ効果が必要であり，逆に反応場から生成物を分離する為にはケージ効果を弱いほうが良い。そこで，見かけは均一であるが，反応時間においては強いケージとして働く反応場を見つける必要がある。