Novel cooling phenomena in semiconductor quantum heterostructures
半导体量子异质结构中的新颖冷却现象
基本信息
- 批准号:21F20724
- 负责人:
- 金额:$ 1.47万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份:2021
- 资助国家:日本
- 起止时间:2021-04-28 至 2023-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
現代のLSIに代表されるエレクトロニクスの進歩を大きく阻んでいるのが発熱の問題であり、冷却技術は将来のエレクトロニクスの発展の鍵を握る技術と言っても過言ではない。我々は半導体へテロ構造のバンド構造を適切に設計し、熱電子放出と共鳴トンネル効果を同時に制御して実現できる熱電子冷却技術に注目している。熱電子冷却においては、エミッタ側のトンネル障壁を介して量子井戸に低エネルギーの電子が共鳴的にトンネル注入され、量子井戸を出るときにはコレクタ側の低くて厚い障壁を高エネルギーの熱電子が熱的に越えていく過程を用いるような素子であり、電流を流すにつれて量子井戸層が冷却されていく素子である。本研究では、大きな冷却効果を得るための多層構造化など新しい素子構造の探索を行っている。本年度は、より大きな電子冷却効果を目指して、量子準位の位置を上り階段のようになるように設計した2量子井戸の量子カスケードクーラー構造を作製し、そのフォトルミネセンスの強度やスペクトルの形状を評価した。その結果、2つの量子井戸内の量子準位の差が光学フォノンエネルギーに等しくなると、上位の量子井戸の電子数が減少するとともに、室温においても電子温度が400 K程度まで上昇するという顕著な効果を見出した。このことは、カソード側から熱的に障壁を越えていく高エネルギー電子が、電子温度を上昇させているものと思われ、その抑制が効果的な電子冷却に不可欠であると言う知見が得られた。
Modern の LSI に representative さ れ る エ レ ク ト ロ ニ ク ス の into step を big き く resistance ん で い る の が 発 heat の で あ は り, cooling technology in the future の エ レ ク ト ロ ニ ク ス の 発 exhibition の key を grip る technology と said っ て も had said で は な い. I 々 は semiconductor へ テ ロ tectonic の バ ン ド tectonic を appropriate に design し, hot electron emit と resonance ト ン ネ ル unseen fruit を に system at the same time the royal し て be presently で き る hot electron cooling technology に attention し て い る. Hot electron cooling に お い て は, エ ミ ッ タ side の ト ン ネ ル barrier を interface し て quantum well opens に low エ ネ ル ギ ー の electronic が resonance に ト ン ネ ル injection さ れ, quantum well opens を out る と き に は コ レ ク タ low side の く て thick い high barrier を エ ネ ル ギ ー の thermionic が hot に more え て い を く process USES い る よ う な element child で あ り, current flow を す に Youdaoplaceholder0 れて quantum well layer が cooling されて く く prime ons である. In this study, the cooling effect of で で and large で な is を to obtain the るため <s:1> multi-layer structed な <e:1> and explore the construction of a new lactin. は this year, よ り big き な electronic cooling unseen fruit を refers し て in a position, quantum quasi の を り stage の よ う に な る よ う に design し た 2 quantum well opens の quantum カ ス ケ ー ド ク ー ラ ー し, the tectonic を cropping そ の フ ォ ト ル ミ ネ セ ン ス の strength や ス ペ ク ト ル の shape を review 価 し た. そ の results, 2 つ の quantum well in quantum quasi の opens, the poor の が optical フ ォ ノ ン エ ネ ル ギ ー に etc し く な る と, upper の quantum well opens の が reduce number of electrons す る と と も に, room temperature に お い て が も electron temperature 400 K degree ま rising で す る と い う 顕 the な unseen fruit を shows し た. こ の こ と は, カ ソ ー ド side か ら hot に barrier を more え て い く high エ ネ ル ギ ー electronic が, electronic temperature rising を さ せ て い る も の と think わ れ, そ の inhibit が unseen fruit な electronic cooling に not owe で あ る と talk う know see が ら れ た.
项目成果
期刊论文数量(9)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Novel electron cooling effect in multiple quantum wells - Quantum Cascade Cooling
多量子阱中的新型电子冷却效应 - 量子级联冷却
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:C. Salhani;M. Bescond;X. Zhu;N. Nagai;and K. Hirakawa
- 通讯作者:and K. Hirakawa
Evaporative electron cooling in semiconductor heterostructures
半导体异质结构中的蒸发电子冷却
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:C. Salhani;M. Bescond;X. Zhu;T. Onoue;N. Nagai;K. Hirakawa
- 通讯作者:K. Hirakawa
Electron temperature in semiconductor double barrier thermionic cooling heterostructures
半导体双势垒热离子冷却异质结构中的电子温度
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:X. Zhu;M. Bescond;B. Bastard;C. Salhani;N. Nagai;and K. Hirakawa
- 通讯作者:and K. Hirakawa
Comprehensive Analysis of Electron Evaporative Cooling in Double-Barrier Semiconductor Heterostructures
双势垒半导体异质结构电子蒸发冷却的综合分析
- DOI:10.1103/physrevapplied.17.014001
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:4.6
- 作者:Bescond Marc;Dangoisse Guillaume;Zhu Xiangyu;Salhani Chloe;Hirakawa Kazuhiko
- 通讯作者:Hirakawa Kazuhiko
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
平川 一彦其他文献
MEMS両持ち梁共振器を用いたテラヘルツ電磁波の検出
使用MEMS双面梁谐振器检测太赫兹电磁波
- DOI:
- 发表时间:
2023 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
張 亜;吉岡 佑理;江端 一貴;飯森 未来;山本 稜子;諸橋 功;平川 一彦 - 通讯作者:
平川 一彦
粉末原料の粒子径が直接発泡法により形成された多孔質構造に与える影響
粉体原料粒径对直接发泡法多孔结构的影响
- DOI:
- 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
山本 稜子;長井 奈緒美;平川 一彦;小島 明;越田 信義;張 亜;嶋村 彰紘 - 通讯作者:
嶋村 彰紘
単一H2O@C60分子トランジスタの非弾性伝導とテラヘルツ分光
单个H2O@C60分子晶体管的非弹性传导和太赫兹光谱
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Baisen Yu;Shoichi Sato;Masaaki Tanaka;and Ryosho Nakane;木村勇気;平川 一彦 - 通讯作者:
平川 一彦
メッシュフォノニク構造を用いたテラヘルツMEMSセンサの熱感度の向上
利用网状声子结构提高太赫兹 MEMS 传感器的热灵敏度
- DOI:
- 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
山本 稜子;長井 奈緒美;平川 一彦;小島 明;越田 信義;張 亜 - 通讯作者:
張 亜
MEMS技術を用いた高感度・高速テラヘルツセンシング
使用 MEMS 技术的高灵敏度和高速太赫兹传感
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
平川 一彦; 張 亜;邱 博奇;牛 天野;近藤諒佳;長井奈緒美 - 通讯作者:
長井奈緒美
平川 一彦的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('平川 一彦', 18)}}的其他基金
Terahertz dynamics of single molecule transistors and its application to quantum information processing
单分子晶体管的太赫兹动力学及其在量子信息处理中的应用
- 批准号:
20H05660 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
Terahertz dynamics of single molecule transistors and their applications to molecular spintronics
单分子晶体管的太赫兹动力学及其在分子自旋电子学中的应用
- 批准号:
17F17072 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Novel solid-state cooling device based on semiconductor quantum structures
基于半导体量子结构的新型固态冷却装置
- 批准号:
16F16783 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
テラヘルツ量子カスケードレーザの物理と高性能化に関する研究
太赫兹量子级联激光器物理及性能提升研究
- 批准号:
12F02064 - 财政年份:2012
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
半導体結合量子井戸構造中のコヒーレント・トンネル効果のダイナミクスに関する研究
半导体耦合量子阱结构相干隧道动力学研究
- 批准号:
08834004 - 财政年份:1996
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
光電子分光法による半導体ヘテロ接合バンド不連続量に与える界面双極子効果の解明
使用光电子能谱阐明半导体异质结带不连续性的界面偶极子效应
- 批准号:
02650003 - 财政年份:1990
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
半導体超薄膜超格子中の電子-2次元フォノン相互作用に関する研究
超薄半导体超晶格中电子与二维声子相互作用的研究
- 批准号:
63550006 - 财政年份:1988
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
相似海外基金
相転移温度近傍における電気/磁気双極子秩序の同時制御による新奇冷却素子の創製
通过同时控制相变温度附近的电/磁偶极子级数创建新型冷却元件
- 批准号:
19K04229 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
曲面型ナノ構造体における超伝導発現メカニズムの解明とナノ冷却素子への応用
阐明弯曲纳米结构中的超导表达机制及其在纳米冷却元件中的应用
- 批准号:
08J03576 - 财政年份:2008
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
傾斜化プロセスを用いたミスト冷却素子の開発
利用梯度工艺开发雾冷却元件
- 批准号:
09229246 - 财政年份:1997
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
熱電冷却素子材料(Bi,Sb)_2(Te,Se)_3
热电致冷元件材料(Bi,Sb)_2(Te,Se)_3
- 批准号:
X40440-----51111 - 财政年份:1965
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Particular Research














{{item.name}}会员




