权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

Detection of domain wall dynamics and estimation of magnetic parameters

磁畴壁动力学检测和磁参数估计

基本信息

批准号：
21H01396
负责人：
田中輝光
金额：
$ 11.32万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2021
资助国家：
日本
起止时间：
2021-04-01 至 2024-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

アモルファス磁性細線に形成された磁壁の移動特性測定において本年度は以下のような研究成果を得た。アモルファス磁性薄膜であるTb/Co積層薄膜をスパッタ法により作製し、フォトリソグラフィー法を用いて細線状に加工して磁性細線を作製した。作製した薄膜上部に絶縁層を成膜し，さらにその上部に磁壁導入用のヘアピンコイルを作製して磁壁導入および磁壁移動の閾電流を測定した。磁化反転閾磁界よりやや小さな外部磁界を細線全体に印加した状態で，ヘアピンコイルにパルス電流を加えることで細線の一部にのみ磁壁ペアを導入し、その後，磁性細線に電流を印加して磁壁移動実験を行った。なお、本研究ではスピン偏極率を推定することが目的であるため、磁性細線の下部または上部に重金属層は形成しておらずスピン軌道相互作用の影響は現れない構造になっている。本研究では磁壁そのものを画像で見るのではなく、レーザーが照射された微小領域の磁化の向きをKerr出力により検出する方法となっている。磁壁を導入した磁性細線にパルス電流を印加すると、ある電流値を超えるとKerr出力に変化が見られた。同様の実験を磁界強度変化させて行ったところ、磁壁移動をアシストする磁場強度が大きいほど閾電流が小さいことが分かったが、Kerr出力の変化量も異なることが確認された。磁壁がKerrスポットを抜けて十分遠方に移動していれば、Kerr出力は外部磁界強度に依らず一定となるはずであるため、本研究で得られたKerr出力変化は磁壁移動ではなく、電流導入による熱の影響で磁化反転した、もしくは電流導入によりTbCo薄膜の磁気特性そのものが変化した可能性が挙げられる。仮に磁壁移動によりKerr出力が変化したと仮定して、前年度に実施したマイクロマグネティックシミュレーションと比較するとスピン偏極率は0.1程度である。

The measurement of the movement characteristics of the magnetic wall is very important for the formation of the magnetic line. The following research results have been approved this year. The magnetic thin film is processed by the Tb/Co active thin film, the magnetic thin film is processed by the magnetic thin film, and the magnetic thin film is processed by the magnetic thin film. In this paper, the upper part of the thin film is used to form the film, and the upper part of the magnetic wall is used to enter the magnetic wall. The magnetization of the magnetic field is very important. All the external magnetic lines are in the state of the magnetic field, and the current is the most important part of the magnetic wall. after the magnetization, the magnetic current is used to move the magnetic wall. In this study, the bias rate is presumed that the lower part of the magnetic line, the upper part of the magnetic line, the lower part, the upper part, the lower part, the In this study, the magnetic wall, the portrait, the magnetic field, the magnetic wall, the magnetic field, the magnetic field, The magnetic wall is connected to the magnetic line, the current, the Inca, the current, the supercurrent, the Kerr and the power supply. The same as the magnetic boundary strength, the magnetic wall movement, the magnetic field strength, the magnetic field strength, the magnetic The effect of Kerr on magnetic wall is very important, and the effect of Kerr on the strength of external magnetic boundary is very important. In this study, the effect of Kerr on the movement of magnetic wall, the effect of current on magnetization, the effect of current on magnetization and the effect of current on the magnetization of TbCo thin films are studied in this study. The magnetic wall movement mechanism Kerr is used to determine the accuracy of the system, and the deviation rate of the previous year is higher than that of the previous year, which is higher than that of the previous year.