Control of Interface Fluctuation in Nitride Semiconductor Heterostructure and its Application to Quantum Optical Devices
Control of Interface Fluctuation in Nitride Semiconductor Heterostructure and its Application to Quantum Optical Devices
氮化物半导体异质结构界面涨落控制及其在量子光学器件中的应用
批准号：
19K15025
负责人：
Shojiki Kanako
金额：
$2.58万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(107)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
230 nm遠紫外第二高調波発生に向けた横型擬似位相整合HfO2/AlN導波路の設計
用于230 nm远紫外二次谐波产生的水平准相位匹配HfO2/AlN波导设计
用于230 nm远紫外二次谐波产生的水平准相位匹配HfO2/AlN波导设计
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[本田啓人, 梅田颯志, 正直花奈子, 三宅秀人, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二]
通讯作者：
片山竜二
高温アニールスパッタAlN上にMOVPE成長させたAlNの陰極線蛍光評価(2)
高温退火溅射 AlN 上 MOVPE 生长 AlN 的阴极射线荧光评价（2）
高温退火溅射 AlN 上 MOVPE 生长 AlN 的阴极射线荧光评价（2）
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[粕谷 拓生, 嶋 紘平, 正直 花奈子, 上杉 謙次郎, 小島 一信, 上殿 明良, 三宅 秀人, 秩父 重英]
通讯作者：
秩父 重英
スパッタ・アニール法によるAlGaN薄膜の作製
溅射退火法制备AlGaN薄膜
溅射退火法制备AlGaN薄膜
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[窪谷 茂幸, 岩山 章, 上杉 謙次郎, 正直 花奈子, 則松 研二, 三宅 秀人]
通讯作者：
三宅 秀人
Threading Dislocation Reduction of Sputter-deposited AlN/sapphire by High-Temperature Annealing
通过高温退火减少溅射沉积 AlN/蓝宝石的螺纹位错
通过高温退火减少溅射沉积 AlN/蓝宝石的螺纹位错
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Miyake, K. Shojiki, K. Uesugi, S. Xiao, H. Koizumi, and S. Kuboya]
通讯作者：
and S. Kuboya
Design of Non-Polar/AlN Transverse Quasi-Phase Matched Channel Waveguides for 230-nm Far-UV Second Harmonic Generation
用于 230 nm 远紫外二次谐波产生的非极性/AlN 横向准相位匹配通道波导的设计
用于 230 nm 远紫外二次谐波产生的非极性/AlN 横向准相位匹配通道波导的设计
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Honda, K. Shojiki, H. Miyake, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama]
通讯作者：
T. Tanikawa and R. Katayama
共 97 条
海外基金