Control of Interface Fluctuation in Nitride Semiconductor Heterostructure and its Application to Quantum Optical Devices

氮化物半导体异质结构界面涨落控制及其在量子光学器件中的应用

基本信息

  • 批准号：
    19K15025
  • 负责人：
    Shojiki Kanako
  • 金额：
    $ 2.58万
  • 依托单位：
    Mie University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 财政年份：
    2019
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2019-04-01 至 2022-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（107）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
230 nm遠紫外第二高調波発生に向けた横型擬似位相整合HfO2/AlN導波路の設計
用于230 nm远紫外二次谐波产生的水平准相位匹配HfO2/AlN波导设计
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    本田啓人;梅田颯志;正直花奈子;三宅秀人;上向井正裕;谷川智之;片山竜二
  • 通讯作者：
    片山竜二
高温アニールスパッタAlN上にMOVPE成長させたAlNの陰極線蛍光評価(2)
高温退火溅射 AlN 上 MOVPE 生长 AlN 的阴极射线荧光评价（2）
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    粕谷 拓生;嶋 紘平;正直 花奈子;上杉 謙次郎;小島 一信;上殿 明良;三宅 秀人;秩父 重英
  • 通讯作者：
    秩父 重英
スパッタ・アニール法によるAlGaN薄膜の作製
溅射退火法制备AlGaN薄膜
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    窪谷 茂幸;岩山 章;上杉 謙次郎;正直 花奈子;則松 研二;三宅 秀人
  • 通讯作者：
    三宅 秀人
Threading Dislocation Reduction of Sputter-deposited AlN/sapphire by High-Temperature Annealing
通过高温退火减少溅射沉积 AlN/蓝宝石的螺纹位错
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    H. Miyake;K. Shojiki;K. Uesugi;S. Xiao;H. Koizumi;and S. Kuboya
  • 通讯作者：
    and S. Kuboya
Design of Non-Polar/AlN Transverse Quasi-Phase Matched Channel Waveguides for 230-nm Far-UV Second Harmonic Generation
用于 230 nm 远紫外二次谐波产生的非极性/AlN 横向准相位匹配通道波导的设计
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    H. Honda;K. Shojiki;H. Miyake;M. Uemukai;T. Tanikawa and R. Katayama
  • 通讯作者：
    T. Tanikawa and R. Katayama
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    2.3
  • 作者：
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  • 通讯作者：
    Iwaya Motoaki
Spin-orbitronics in nanostructures
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  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Takamiya Kengo;Yagi Shuhei;Yaguchi Hiroyuki;Akiyama Hidefumi;Shojiki Kanako;Tanikawa Tomoyuki;Katayama Ryuji
  • 通讯作者：
    Katayama Ryuji

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  • 财政年份：
    2009
  • 资助金额：
    $ 2.58万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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  • 资助金额：
    $ 2.58万
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