Fabrication of artificial multilayer using ferromagnetic oxide and its application to voltage-driven memory devices
Fabrication of artificial multilayer using ferromagnetic oxide and its application to voltage-driven memory devices
铁磁氧化物人工多层膜的制备及其在电压驱动存储器件中的应用
批准号：
19K15044
负责人：
Oshima Daiki
金额：
$2.66万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2021-03-31
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MnGa Film with (001) Texture Fabricated on Thermally Oxidized Si Substrate Using CoGa Buffer Layer
使用 CoGa 缓冲层在热氧化 Si 衬底上制作具有 (001) 织构的 MnGa 薄膜
使用 CoGa 缓冲层在热氧化 Si 衬底上制作具有 (001) 织构的 MnGa 薄膜
DOI：
10.3379/msjmag.2009r003
发表时间：
2020
期刊：
Journal of the Magnetics Society of Japan
影响因子：
--
作者：
[Miwa Y., Oshima D., Kato T., Iwata S.]
通讯作者：
Iwata S.
MgO/Co/Pt積層膜における磁気異方性およびダンピング定数の電界効果
场效应对 MgO/Co/Pt 堆叠薄膜磁各向异性和阻尼常数的影响
场效应对 MgO/Co/Pt 堆叠薄膜磁各向异性和阻尼常数的影响
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[砂古口藍子，大島大輝，岩田聡，加藤剛志]
通讯作者：
砂古口藍子，大島大輝，岩田聡，加藤剛志
Thermally assisted STT switching of hybrid memory layer consisting of low TC CoPd/Pd and high TC Co/Pd multilayers
由低TC CoPd/Pd 和高TC Co/Pd 多层组成的混合存储层的热辅助STT 切换
由低TC CoPd/Pd 和高TC Co/Pd 多层组成的混合存储层的热辅助STT 切换
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[W. Zhao, T. Kato, D. Oshima, Y. Sonobe, S. Takahashi, S. Iwata]
通讯作者：
S. Iwata
DOI：
10.1063/1.5130452
发表时间：
2020-02
期刊：
AIP Advances
影响因子：
1.6
作者：
[D. Oshima;T. Kato;S. Iwata]
通讯作者：
D. Oshima;T. Kato;S. Iwata
Voltage control of spin Hall switching in perpendiculary magnetized MgO/Co/Pt trilayers
垂直磁化 MgO/Co/Pt 三层中自旋霍尔开关的电压控制
垂直磁化 MgO/Co/Pt 三层中自旋霍尔开关的电压控制
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Kunishima, X. Zhou, D. Oshima, T. Kato, S. Iwata]
通讯作者：
S. Iwata
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